트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI1058X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,004
SI1058X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SC89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,520
SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SC-89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 220mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음282,324
SI1065X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.18A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,436
SI1065X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.18A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,304
SI1067X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.06A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,124
SI1067X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.06A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,338
SI1069X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 940mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.86nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 308pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음7,002
SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 940mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.86nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 308pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,194
SI1070X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음3,114
SI1070X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음58,986
SI1071X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음6,714
SI1071X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,070
SI1072X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,382
SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SC89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음7,254
SI1073X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,310
SI1073X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,628
SI1077X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.1nC @ 8V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음45,288
SI1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.02A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 240mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음3,078
SI1079X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.44A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 330mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,554
SI1300BDL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 250mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 35pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190mW (Ta), 200mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,842
SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 250mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 35pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 190mW (Ta), 200mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,344
SI1302DL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음759,828
SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 280mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음280,482
SI1303DL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,212
SI1303DL-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음2,052
SI1303EDL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,462
SI1304BDL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 340mW (Ta), 370mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음2,682
SI1304BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 340mW (Ta), 370mW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,050
SI1305DL-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 290mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70-3 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음4,860

SI1058X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,004

SI1058X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SC89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,520

SI1062X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SC-89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 220mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음282,324

SI1065X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,436

SI1065X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,304

SI1067X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.06A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,124

SI1067X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.06A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1.06A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 375pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,338

SI1069X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 940mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.86nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 308pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음7,002

SI1069X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 940mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.86nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 308pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,194

SI1070X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음3,114

SI1070X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.55V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음58,986

SI1071X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.96A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음6,714

SI1071X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 167mOhm @ 960mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.45V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,070

SI1072X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.3A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,382

SI1072X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SC89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음7,254

SI1073X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,310

SI1073X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.98A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 173mOhm @ 980mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,628

SI1077X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31.1nC @ 8V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음45,288

SI1078X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.02A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 142mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 240mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음3,078

SI1079X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.44A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,554

SI1300BDL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 35pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190mW (Ta), 200mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,842

SI1300BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.84nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 35pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 190mW (Ta), 200mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,344

SI1302DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 600MA SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음759,828

SI1302DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 600MA SC-70-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 280mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음280,482

SI1303DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,212

SI1303DL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음2,052

SI1303EDL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 670mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,462

SI1304BDL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음2,682

SI1304BDL-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,050

SI1305DL-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 0.86A SOT323-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 290mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70-3
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음4,860

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