트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음295,788
SI1013X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음8,910
SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음208,152
SI1021R-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음7,578
SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 15V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음361,956
SI1022R-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음5,166
SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음3,510
SI1031R-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음8,100
SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음2,592
SI1031X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음4,986
SI1031X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음3,798
SI1032R-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음4,536
SI1032R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음684,360
SI1032X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음3,510
SI1032X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음22,158
SI1037X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 770mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89 (SOT-563F) 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음7,002
SI1037X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 770mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89 (SOT-563F) 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,014
SI1039X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 870mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음8,784
SI1039X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 870mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,400
SI1046R-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음5,814
SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-75A 패키지 / 케이스: SC-75A	재고 있음7,236
SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-3 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490	재고 있음3,222
SI1050X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음6,840
SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음152,814
SI1051X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음6,516
SI1051X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 5V Vgs (최대): ±5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 4V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음8,712
SI1054X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.57nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음8,190
SI1054X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.57nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음8,046
SI1056X-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,952
SI1056X-T1-GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SC-89-6 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 236mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-89-6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,700

SI1013R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 350MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음295,788

SI1013X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음8,910

SI1013X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음208,152

SI1021R-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음7,578

SI1021R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 190mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음361,956

SI1022R-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음5,166

SI1022R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 330MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음3,510

SI1031R-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음8,100

SI1031R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.14A SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음2,592

SI1031X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음4,986

SI1031X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.155A SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 155mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음3,798

SI1032R-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음4,536

SI1032R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음684,360

SI1032X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음3,510

SI1032X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음22,158

SI1037X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 770mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89 (SOT-563F)
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음7,002

SI1037X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 770mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 770mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89 (SOT-563F)
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,014

SI1039X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음8,784

SI1039X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 870mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 870mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,400

SI1046R-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음5,814

SI1046R-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-75A
패키지 / 케이스: SC-75A

재고 있음7,236

SI1046X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 606mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.49nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 66pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-3
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490

재고 있음3,222

SI1050X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음6,840

SI1050X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.34A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.6nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 585pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음152,814

SI1051X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음6,516

SI1051X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.45nC @ 5V
Vgs (최대): ±5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 4V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음8,712

SI1054X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.57nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음8,190

SI1054X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.57nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 480pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음8,046

SI1056X-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,952

SI1056X-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SC-89-6

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 89mOhm @ 1.32A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 950mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 236mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-89-6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,700

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