트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SPI08N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,284
SPI08N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,508
SPI08N80C3 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,856
SPI08N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 8A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,150
SPI100N03S2-03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,174
SPI100N03S2L03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,102
SPI100N03S2L-03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,446
SPI100N08S2-07 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,120
SPI10N10 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 21µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 426pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음3,060
SPI10N10L Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 21µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 444pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,588
SPI11N60C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,122
SPI11N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,208
SPI11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,070
SPI11N60S5BKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,786
SPI11N65C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,498
SPI11N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,626
SPI12N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,766
SPI12N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,004
SPI15N60C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,388
SPI15N60CFDHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 750µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,632
SPI15N65C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,112
SPI15N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음5,148
SPI16N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 16A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음6,300
SPI20N60C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음7,488
SPI20N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,046
SPI20N60CFDHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,712
SPI20N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음2,898
SPI21N10 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 21A TO-262 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 44µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 865pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,212
SPI21N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음8,964
SPI21N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	재고 있음4,536

SPI08N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.6A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,284

SPI08N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 350µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,508

SPI08N80C3

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,856

SPI08N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 470µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,150

SPI100N03S2-03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,174

SPI100N03S2L03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,102

SPI100N03S2L-03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,446

SPI100N08S2-07

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,120

SPI10N10

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 21µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 426pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음3,060

SPI10N10L

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 21µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 444pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,588

SPI11N60C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,122

SPI11N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,208

SPI11N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,070

SPI11N60S5BKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,786

SPI11N65C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,498

SPI11N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,626

SPI12N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 11.6A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,766

SPI12N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,004

SPI15N60C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,388

SPI15N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 750µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,632

SPI15N65C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,112

SPI15N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음5,148

SPI16N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 16A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음6,300

SPI20N60C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음7,488

SPI20N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,046

SPI20N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,712

SPI20N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 114nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음2,898

SPI21N10

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 21A TO-262

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 44µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 865pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,212

SPI21N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음8,964

SPI21N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 21A I2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO262-3-1
패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

재고 있음4,536

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