트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SPP100N03S2-03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,570
SPP100N03S2L03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,334
SPP100N03S2L-03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,676
SPP100N04S2-04 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,078
SPP100N04S2L-03 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,466
SPP100N06S2-05 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,426
SPP100N06S2L-05 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7530pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,762
SPP100N08S2-07 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 66A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6020pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,802
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,392
SPP10N10 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 21µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 426pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,812
SPP10N10L Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 21µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 444pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 50W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,092
SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음17,412
SPP11N60CFDHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,776
SPP11N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,124
SPP11N60S5HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,624
SPP11N60S5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,550
SPP11N65C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,014
SPP11N80C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음20,748
SPP12N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,142
SPP12N50C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,696
SPP15N60C3XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,424
SPP15N60CFDHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 750µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,628
SPP15N60CFDXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOW POWER_LEGACY 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,048
SPP15N65C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 15A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,256
SPP15P10P Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,652
SPP15P10PGHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,392
SPP15P10PHXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,978
SPP15P10PLGHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1.54mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,590
SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: SIPMOS® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1.54mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 128W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,364
SPP16N50C3HKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 560V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,388

SPP100N03S2-03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,570

SPP100N03S2L03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,334

SPP100N03S2L-03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 220nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,676

SPP100N04S2-04

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7220pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,078

SPP100N04S2L-03

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,466

SPP100N06S2-05

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,426

SPP100N06S2L-05

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 230nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7530pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,762

SPP100N08S2-07

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 66A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 200nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6020pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,802

SPP100N08S2L-07

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 246nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,392

SPP10N10

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 21µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 426pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,812

SPP10N10L

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 8.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 21µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 444pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 50W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,092

SPP11N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음17,412

SPP11N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,776

SPP11N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,124

SPP11N60S5HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1460pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,624

SPP11N60S5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,550

SPP11N65C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,014

SPP11N80C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 680µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음20,748

SPP12N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,142

SPP12N50C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,696

SPP15N60C3XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1660pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,424

SPP15N60CFDHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 750µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1820pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,628

SPP15N60CFDXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,048

SPP15N65C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,256

SPP15P10P

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,652

SPP15P10PGHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 15A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,392

SPP15P10PHXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 1.54mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,978

SPP15P10PLGHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 15A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1.54mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,590

SPP15P10PLHXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: SIPMOS®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1.54mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1490pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 128W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,364

SPP16N50C3HKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 560V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 675µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,388

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