트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SSM3K2615TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.3V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음3,042
SSM3K301T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,140
SSM3K302T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,400
SSM3K303T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,502
SSM3K309T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음2,412
SSM3K310T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,030
SSM3K315T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,408
SSM3K316T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,236
SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음52,902
SSM3K318T,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음3,960
SSM3K324R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음76,254
SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 123pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,958,194
SSM3K333R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 436pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음48,078
SSM3K335R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음6,372
SSM3K336R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 126pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음4,104
SSM3K337R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 38V 2A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 38V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음24,408
SSM3K339R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음780,042
SSM3K341R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음27,714
SSM3K341TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음8,874
SSM3K344R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음23,400
SSM3K345R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음7,938
SSM3K347R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 38V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 86pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음28,368
SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음27,024
SSM3K35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음5,400
SSM3K35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음8,550
SSM3K35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.18A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3C 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음87,708
SSM3K35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,344
SSM3K35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음2,610
SSM3K35MFV(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음7,632
SSM3K361R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음165,462

SSM3K2615TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3.3V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음3,042

SSM3K301T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,140

SSM3K302T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 2A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,400

SSM3K303T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.3nC @ 4V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 180pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,502

SSM3K309T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1020pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음2,412

SSM3K310T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 5A S-MOS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 4A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.8nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,030

SSM3K315T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27.6mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,408

SSM3K316T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.3nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,236

SSM3K318R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음52,902

SSM3K318T,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음3,960

SSM3K324R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음76,254

SSM3K329R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 123pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,958,194

SSM3K333R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 6A 2-3Z1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 436pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음48,078

SSM3K335R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 6A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음6,372

SSM3K336R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 126pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음4,104

SSM3K337R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 38V 2A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 38V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음24,408

SSM3K339R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음780,042

SSM3K341R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음27,714

SSM3K341TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음8,874

SSM3K344R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 153pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음23,400

SSM3K345R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 4A SOT23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 410pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음7,938

SSM3K347R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 38V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 86pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음28,368

SSM3K357R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSF

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음27,024

SSM3K35AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음5,400

SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음8,550

SSM3K35CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.18A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.34nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3C
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음87,708

SSM3K35CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,344

SSM3K35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F VESM NCH S-MOS TRANSIST

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음2,610

SSM3K35MFV(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음7,632

SSM3K361R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.5A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음165,462

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