트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SSM5H12TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 123pF @ 15V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFV 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	재고 있음8,424
SSM5H16TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + SBD V 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,732
SSM5H90ATU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,526
SSM5N15FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 100MA ESV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ESV 패키지 / 케이스: SOT-553	재고 있음5,328
SSM5N15FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.1A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USV 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	재고 있음5,886
SSM5N16FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USV 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	재고 있음5,814
SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.2V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2) 패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad	재고 있음4,194
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음35,094
SSM6J207FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 137pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6) 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음2,484
SSM6J212FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음5,274
SSM6J213FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 2.6A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음7,254
SSM6J214FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음79,590
SSM6J215FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 3.4A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음34,650
SSM6J216FE,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 12V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: ES6 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음34,770
SSM6J401TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,484
SSM6J402TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,834
SSM6J409TU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UF6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음3,870
SSM6J412TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,412
SSM6J414TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 6A UF6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UF6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음7,182
SSM6J422TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,556
SSM6J424TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,824
SSM6J501NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.9nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음27,744
SSM6J502NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음25,284
SSM6J503NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음2,124
SSM6J505NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음42,912
SSM6J507NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음7,128
SSM6J50TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UF6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음22,326
SSM6J511NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음103,158
SSM6J512NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2) 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad	재고 있음3,150
SSM6J51TUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 4A UF6 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2A, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UF6 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads	재고 있음6,156

SSM5H12TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.9nC @ 4V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 123pF @ 15V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFV
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

재고 있음8,424

SSM5H16TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH + SBD V

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,732

SSM5H90ATU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,526

SSM5N15FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 100MA ESV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ESV
패키지 / 케이스: SOT-553

재고 있음5,328

SSM5N15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.1A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7.8pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USV
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

재고 있음5,886

SSM5N16FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9.3pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USV
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

재고 있음5,814

SSM6H19NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.2V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFN (2x2)
패키지 / 케이스: 6-UDFN Exposed Pad

재고 있음4,194

SSM6J206FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 335pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음35,094

SSM6J207FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 251mOhm @ 650mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 137pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음2,484

SSM6J212FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40.7mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음5,274

SSM6J213FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음7,254

SSM6J214FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음79,590

SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 3.4A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음34,650

SSM6J216FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 12V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: ES6
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음34,770

SSM6J401TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,484

SSM6J402TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-30

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,834

SSM6J409TU(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9.5A UF6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UF6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음3,870

SSM6J412TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,412

SSM6J414TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 6A UF6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UF6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음7,182

SSM6J422TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,556

SSM6J424TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS-20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,824

SSM6J501NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29.9nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음27,744

SSM6J502NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음25,284

SSM6J503NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음2,124

SSM6J505NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음42,912

SSM6J507NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음7,128

SSM6J50TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F UF6 S-MOS (LF) TRANSIST

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UF6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음22,326

SSM6J511NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 4.5V
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음103,158

SSM6J512NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

재고 있음3,150

SSM6J51TUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 4A UF6

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 2A, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UF6
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

재고 있음6,156

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