트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STD12NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,456
STD12NM50ND STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,316
STD130N4F6AG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 80A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 143W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,642
STD130N6F7 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 134W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음8,388
STD134N4F7AG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2790pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 134W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,200
STD13N50DM2AG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 POWER TRANSISTORS 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,844
STD13N60DM2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP., 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ DM2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음93,636
STD13N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II Plus FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음65,238
STD13N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 10A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,176
STD13NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,564
STD13NM60N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음247,224
STD13NM60ND STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: FDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 109W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음24,810
STD140N6F7 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP., 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 134W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음53,310
STD14NM50N STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 12A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,776
STD14NM50NAG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,488
STD150N2LH5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,244
STD150N3LLH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음18,702
STD150NH02L-1 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 150A IPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: I-PAK 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	재고 있음6,138
STD150NH02LT4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 24V 150A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ III FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,626
STD155N3H6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,048
STD155N3LH6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D2PAK 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,676
STD15N50M2AG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음24,360
STD15N60M2-EP STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M2-EP FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,560
STD15N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 650V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,318
STD15NF10T4 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 23A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 70W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음65,064
STD15P6F6AG STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET PCH 60V 10A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,272
STD16N50M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 13A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,996
STD16N60M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 12A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음3,258
STD16N65M2 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 11A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M2 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 718pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 110W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음21,168
STD16N65M5 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 650V 12A DPAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ V FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 90W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,682

STD12NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 940pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,456

STD12NM50ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,316

STD130N4F6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4260pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 143W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,642

STD130N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 134W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음8,388

STD134N4F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2790pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 134W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,200

STD13N50DM2AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

POWER TRANSISTORS

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,844

STD13N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.310 OHM TYP.,

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ DM2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음93,636

STD13N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II Plus
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 580pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음65,238

STD13N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,176

STD13NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,564

STD13NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 790pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음247,224

STD13NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: FDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 845pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 109W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음24,810

STD140N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 60 V, 0.0031 OHM TYP.,

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 134W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음53,310

STD14NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 12A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,776

STD14NM50NAG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,488

STD150N2LH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,244

STD150N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음18,702

STD150NH02L-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 150A IPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: I-PAK
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

재고 있음6,138

STD150NH02LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 150A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ III
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4450pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,626

STD155N3H6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,048

STD155N3LH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D2PAK
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,676

STD15N50M2AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ M2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 530pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음24,360

STD15N60M2-EP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11A EP DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M2-EP
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 378mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,560

STD15N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 650V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,318

STD15NF10T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 23A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 70W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음65,064

STD15P6F6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET PCH 60V 10A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,272

STD16N50M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 13A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,996

STD16N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 12A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음3,258

STD16N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M2
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 718pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 110W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음21,168

STD16N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12A DPAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ V
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 90W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,682

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