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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
STB8N65M5
STB8N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ V
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음20,604
STB8N90K5
STB8N90K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ K5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,946
STB8NM60D
STB8NM60D

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,118
STB8NM60N
STB8NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,608
STB8NM60T4
STB8NM60T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,686
STB95N3LLH6
STB95N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24.5nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,194
STB95N4F3
STB95N4F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ III
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,588
STB9NK50ZT4
STB9NK50ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 910pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,524
STB9NK60ZDT4
STB9NK60ZDT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperFREDmesh™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,064
STB9NK60ZT4
STB9NK60ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,196
STB9NK70Z-1
STB9NK70Z-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 115W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음6,606
STB9NK70ZT4
STB9NK70ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 7.5A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 115W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,516
STB9NK80Z
STB9NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1138pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,770
STB9NK90Z
STB9NK90Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2115pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,934
STD100N03LT4
STD100N03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,222
STD100N10F7
STD100N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 80A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4369pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,808
STD100N10LF7AG
STD100N10LF7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 73nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음4,680
STD100N3LF3
STD100N3LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2060pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,264
STD100NH02LT4
STD100NH02LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3940pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음62,514
STD100NH03LT4
STD100NH03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ III
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음5,922
STD105N10F7AG
STD105N10F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4369pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 120W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,174
STD10LN80K5
STD10LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ K5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 427pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음8,478
STD10N60DM2
STD10N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ DM2
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 529pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 109W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음25,674
STD10N60M2
STD10N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II Plus
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 85W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,326
STD10NF10T4
STD10NF10T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음20,736
STD10NF30
STD10NF30

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, MESH OVERLAY™, MESH OVERLAY™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 103W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음6,246
STD10NM50N
STD10NM50N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 7A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 3.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음3,384
STD10NM60N
STD10NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 540pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,736
STD10NM60ND
STD10NM60ND

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: FDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 577pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,142
STD10NM65N
STD10NM65N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: DPAK
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음7,884