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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
STB57N65M5
STB57N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ V
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 98nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 250W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음25,986
STB5N52K3
STB5N52K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH3™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 545pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,568
STB5N62K3
STB5N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH3™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.1A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,570
STB5N80K5
STB5N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,604
STB5NK50Z-1
STB5NK50Z-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음2,952
STB5NK50ZT4
STB5NK50ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 535pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,876
STB5NK52ZD-1
STB5NK52ZD-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 520V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.9nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 529pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음20,928
STB60N55F3
STB60N55F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ III
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 32A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,454
STB60NE06L-16T4
STB60NE06L-16T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±15V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음3,222
STB60NF06LT4
STB60NF06LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±15V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음22,176
STB60NF06T4
STB60NF06T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,316
STB60NF10-1
STB60NF10-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4270pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음17,676
STB60NF10T4
STB60NF10T4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4270pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,470
STB60NH02LT4
STB60NH02LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ III
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 24V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음8,316
STB6N52K3
STB6N52K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH3™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 525V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,102
STB6N60M2
STB6N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II Plus
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 232pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,994
STB6N62K3
STB6N62K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH3™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 620V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.8A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 875pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,526
STB6N65K3
STB6N65K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • FET 유형: -
  • 기술: -
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): -
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: -
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 공급자 장치 패키지: -
  • 패키지 / 케이스: -
재고 있음4,500
STB6N65M2
STB6N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 226pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,952
STB6N80K5
STB6N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH5™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): 30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 255pF @ 100V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 85W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,544
STB6NK60Z-1
STB6NK60Z-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (최대): 30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 905pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음8,064
STB6NK60ZT4
STB6NK60ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 905pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,772
STB6NK90ZT4
STB6NK90ZT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: SuperMESH™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±30V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 140W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음21,870
STB6NM60N
STB6NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.6A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: MDmesh™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.6A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±25V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,644
STB70N10F4
STB70N10F4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: DeepGATE™, STripFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 85nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,750
STB70NF03L-1
STB70NF03L-1

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A I2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: I2PAK (TO-262)
  • 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
재고 있음2,628
STB70NF03LT4
STB70NF03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음6,390
STB70NF3LLT4
STB70NF3LLT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ II
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1650pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음2,088
STB70NFS03LT4
STB70NFS03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 35A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±18V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1440pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,212
STB70NH03LT4
STB70NH03LT4

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A D2PAK

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: STripFET™ III
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 5V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 10V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 858W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,164