트랜지스터

STL140N4LLF5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 140A PWRFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 140A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5900pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL140N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 145A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL150N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 195A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 17.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 114W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL150N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 150A POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4040pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL15N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL15N60M2-EP

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2-EP
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 418mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 55W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL15N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL160N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 17.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6375pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 136W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL160N4F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 111W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL160NS3LLH7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 160A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3245pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 84W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL16N1VH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 16A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 500mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2085pF @ 12V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL16N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 355mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 704pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 52W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL16N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

NCHANNEL 600V M6 POWER MOSFET

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL16N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 395mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 718pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 56W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL16N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1250pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL17N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL17N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta), 10A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 374mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 816pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL180N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 60 V, 1.9 MOHM TYP., 1

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4825pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 166W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL18N55M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta), 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1352pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL18N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL18N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 365mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 764pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL18N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 57W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL18NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta), 12A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 310mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 110W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL190N4F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 127W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL19N60DM2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL19N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 11A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 791pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL19N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta), 12.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1240pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL200N45LF7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5170pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL20N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 78W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL20NF06LAG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 20A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 670pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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