트랜지스터

STL7NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 68W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 14-PowerFLAT™ (5x5)
• 패키지 / 케이스: 14-PowerVQFN

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STL80N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL80N4LLF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL80N75F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7120pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL85N6F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3400pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL86N3LLH6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2030pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8DN6LF6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 55W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3.5W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N10LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 20A PWRFLT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.3W (Ta), 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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STL8N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 7A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta), 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 70W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFLAT™ (5x5)
• 패키지 / 케이스: 14-PowerVQFN

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STL8N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 36A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N6LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 668pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N6LF6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 9.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1340pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 55W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL8P2UH7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 8A POWERFLAT22

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 16V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL8P4LLF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 8A PWRFLAT8

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL90N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3550pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL90N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1690pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL90N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A F7 8PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 94W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL92N10F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.5Ohm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL9N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 724pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL9N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II Plus
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 320pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL9N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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STL9N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 110W (Tc)
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL9P2UH7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 9A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 4.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 16V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL9P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET PCH 30V 9A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ H6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STLD125N4F6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) Dual Side
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 172nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10700pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 158W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) Dual Side
• 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

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