트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STMFS5C609NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 TRENCHFET 60V N-CH TRENCH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,876
STMFS5C628NLT1G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,610
STMFS5C628NLT3G ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,470
STN1HNK60 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,544
STN1N20 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MESH OVERLAY™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 206pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.9W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,154
STN1NF10 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,482
STN1NF20 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음2,358
STN1NK60Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음334,656
STN1NK60ZL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,896
STN1NK80Z STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,436
STN2NE10 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,454
STN2NE10L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,992
STN2NF10 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음92,988
STN3N40K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음34,602
STN3N45K3 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: SuperMESH3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음87,756
STN3NF06 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음30,456
STN3NF06L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음75,354
STN3P6F6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,284
STN3PF06 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,500
STN4NF03L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음30,318
STN4NF06L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,344
STN4NF20L STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,040
STN5PF02V STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ II FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 2.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음4,302
STO33N60M6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP., 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.4nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TOLL (HV) 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음6,300
STO36N60M6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP., 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: MDmesh™ M6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.3nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TOLL (HV) 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음6,210
STP100N10F7 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 100V 80A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4369pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,244
STP100N6F7 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ F7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음14,964
STP100N8F6 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 100A TO220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: STripFET™ F6 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5955pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 176W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음47,076
STP100NF04 STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음15,132
STP105N3LL STMicroelectronics	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A TO220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 140W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,084

STMFS5C609NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

TRENCHFET 60V N-CH TRENCH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,876

STMFS5C628NLT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,610

STMFS5C628NLT3G

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,470

STN1HNK60

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 156pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,544

STN1N20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MESH OVERLAY™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 206pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.9W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,154

STN1NF10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 105pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,482

STN1NF20

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음2,358

STN1NK60Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음334,656

STN1NK60ZL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 94pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,896

STN1NK80Z

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 160pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,436

STN2NE10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 305pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,454

STN2NE10L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 345pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,992

STN2NF10

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음92,988

STN3N40K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 165pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음34,602

STN3N45K3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 0.6A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: SuperMESH3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음87,756

STN3NF06

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 315pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음30,456

STN3NF06L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음75,354

STN3P6F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 48V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,284

STN3PF06

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,500

STN4NF03L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음30,318

STN4NF06L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,344

STN4NF20L

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,040

STN5PF02V

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT223

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ II
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 450mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 2.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 412pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음4,302

STO33N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 105 MOHM TYP.,

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TOLL (HV)
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음6,300

STO36N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP.,

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: MDmesh™ M6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TOLL (HV)
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음6,210

STP100N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 80A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4369pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,244

STP100N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ F7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음14,964

STP100N8F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 100A TO220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: STripFET™ F6
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5955pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 176W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음47,076

STP100NF04

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음15,132

STP105N3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A TO220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 140W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,084

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