트랜지스터

TK16G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 790µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK16J60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 790µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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TK16N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 15.8A TO247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 790µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 130W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK16V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 790µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 139W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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TK17A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 850µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK17E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 900µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK17E80W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 850µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK17N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 17.3A T0247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 8.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 900µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK18A50D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK18E10K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK19A45D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK1K2A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 630µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK1K9A60F,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 400µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK20A25D,S5Q(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 20A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK20A60U(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK20A60W5,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK20A60W,S5VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK20C60W,S1VQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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TK20E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK20G60W,RVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 20A D2PAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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TK20J60U(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1470pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 190W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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TK20N60W5,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK20N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A TO-247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 165W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK20P04M1,RQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 985pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 27W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK20S04K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 20A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK20S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK20V60W5,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 20A 5DFN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 156W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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TK20V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 20A 5DFN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1680pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 156W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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TK22A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 52A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK22E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 52A TO220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.8mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 72W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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