트랜지스터

TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK25A60X,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK25E06K3,S1X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 29nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK25E60X5,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK25E60X,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK25N60X5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK25N60X,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK25V60X,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.2mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 180W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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TK28A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK28N65W,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 13.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.6mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK290A60Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 450µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK290A65Y,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 450µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK290P60Y,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 450µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK290P65Y,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 5.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 450µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 730pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK2A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.26Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK2P60D(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK2Q60D(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD2
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Stub Leads, IPak

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TK30A06N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 25W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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TK30E06N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18Ohm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 28nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 58W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DPAK+
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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TK31A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220SIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TK31N60W,S1VF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 9.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 240W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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TK31V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: DTMOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 86nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 300V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 240W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-DFN-EP (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-VSFN Exposed Pad

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