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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
TN0201K-T1-E3
TN0201K-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: TrenchFET®
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 420mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음8,100
TN0604N3-G
TN0604N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음15,480
TN0604N3-G-P005
TN0604N3-G-P005

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음7,362
TN0604N3-G-P013
TN0604N3-G-P013

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 700mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 190pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음4,284
TN0606N3-G
TN0606N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음23,040
TN0610N3-G
TN0610N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음8,190
TN0610N3-G-P003
TN0610N3-G-P003

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음7,722
TN0610N3-G-P013
TN0610N3-G-P013

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음2,142
TN0620N3-G
TN0620N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음11,040
TN0620N3-G-P002
TN0620N3-G-P002

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음19,494
TN0620N3-G-P014
TN0620N3-G-P014

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음6,732
TN0702N3-G
TN0702N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 530mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음14,076
TN2106K1-G
TN2106K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 280mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음4,698
TN2106N3-G
TN2106N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 740mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음7,704
TN2124K1-G
TN2124K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.134A SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 134mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 120mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음29,730
TN2130K1-G
TN2130K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 0.085A SOT23-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 4.5V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음5,598
TN2404K-T1-E3
TN2404K-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음315,552
TN2404K-T1-GE3
TN2404K-T1-GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 200MA TO236

  • 제조업체: Vishay Siliconix
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 300mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)
  • 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
재고 있음25,188
TN2425N8-G
TN2425N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 480mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: SOT-89-3
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음5,436
TN2435N8-G
TN2435N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 365mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음4,500
TN2501N8-G
TN2501N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 18V 400MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 18V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 3V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 200mA, 3V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 15V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음4,068
TN2504N8-G
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Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 0.89A SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 890mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 20V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음16,332
TN2510N8-G
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Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 730MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 730mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 750mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음19,398
TN2524N8-G
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Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음146,034
TN2540N3-G
TN2540N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음15,408
TN2540N3-G-P002
TN2540N3-G-P002

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 175mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음7,740
TN2540N8-G
TN2540N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 260MA SOT89-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
재고 있음156,120
TN2640K4-G
TN2640K4-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 500MA 3DPAK

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
재고 있음2,196
TN2640LG-G
TN2640LG-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 1.3W (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
재고 있음7,506
TN2640N3-G
TN2640N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3

  • 제조업체: Microchip Technology
  • 시리즈: -
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 220mA (Tj)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 2mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: TO-92-3
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
재고 있음7,200