트랜지스터

TP2540N3-G-P002

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP2540N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 0.125A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 125mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 125pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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TP2635N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP2640LG-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 0.086A 8SOIC

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 86mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 740mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP2640N3-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 300mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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TP5322K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 220V 0.12A SOT23-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 220V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TP5322N8-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 220V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-243AA (SOT-89)
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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TP5335K1-G

Microchip Technology

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 350V 0.085A SOT23-3

• 제조업체: Microchip Technology
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 350V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 85mA (Tj)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30Ohm @ 200mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 360mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-236AB (SOT23)
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TP65H035WS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 12V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.8V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 156W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TP65H035WSQA

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 47A TO247-3

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 32A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 187W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TP65H050WS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 12V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.8V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1000pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 119W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TP65H070LDG

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

650 V 25 A GAN FET

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: TP65H070L
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.8V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

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TP65H070LSG

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

650 V 25 A GAN FET

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: TP65H070L
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.8V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

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TP86R203NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 19A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP89R103NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 15A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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TP90H180PS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 8V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 780pF @ 600V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TPC6006-H(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1.9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 251pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6008-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6009-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 2.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6010-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 830pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6011(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 6A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6012(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6104(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1430pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6107(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6109-H(TE85L,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII-H
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 490pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6110(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6111(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.8A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC6113(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A VS6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-6 (2.9x2.8)
• 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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TPC8014(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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TPC8018-H(TE12LQM)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2265pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP (5.5x6.0)
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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