트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZVN4206GVTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음231,822
ZVN4206GVTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,318
ZVN4210A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음23,370
ZVN4210ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,722
ZVN4210ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,930
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음3,186
ZVN4210GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음18,510
ZVN4210GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음6,030
ZVN4306A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음30,792
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,930
ZVN4306ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음2,592
ZVN4306ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음3,564
ZVN4306AV Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음44,574
ZVN4306AVSTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음4,824
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,316
ZVN4306AVSTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,722
ZVN4306GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음34,284
ZVN4306GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,010
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음29,502
ZVN4306GVTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,830
ZVN4310A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음48,528
ZVN4310ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,930
ZVN4310ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 850mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음2,988
ZVN4310GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.67A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음26,454
ZVN4310GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.67A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,136
ZVN4424A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음90,192
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,560
ZVN4424ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음2,100
ZVN4424ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 750mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음3,042
ZVN4424GQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,906

ZVN4206GVTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음231,822

ZVN4206GVTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,318

ZVN4210A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음23,370

ZVN4210ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,722

ZVN4210ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,930

ZVN4210ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음3,186

ZVN4210GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음18,510

ZVN4210GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음6,030

ZVN4306A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음30,792

ZVN4306ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,930

ZVN4306ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음2,592

ZVN4306ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음3,564

ZVN4306AV

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음44,574

ZVN4306AVSTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음4,824

ZVN4306AVSTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,316

ZVN4306AVSTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,722

ZVN4306GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음34,284

ZVN4306GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,010

ZVN4306GVTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음29,502

ZVN4306GVTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,830

ZVN4310A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음48,528

ZVN4310ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,930

ZVN4310ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 850mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음2,988

ZVN4310GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.67A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음26,454

ZVN4310GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.67A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,136

ZVN4424A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음90,192

ZVN4424ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,560

ZVN4424ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음2,100

ZVN4424ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 750mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음3,042

ZVN4424GQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,906

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