트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
ZVN4424GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음281,244
ZVN4424GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음7,704
ZVN4424ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 240V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음7,542
ZVN4525E6TA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음231,162
ZVN4525E6TC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23-6 패키지 / 케이스: SOT-23-6	재고 있음2,898
ZVN4525GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음279,144
ZVN4525GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음3,438
ZVN4525ZTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V Vgs (최대): ±40V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-89-3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음265,278
ZVNL110A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음61,248
ZVNL110ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,524
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,200
ZVNL110ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음35,586
ZVNL110GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음31,650
ZVNL110GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음5,004
ZVNL120A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음25,596
ZVNL120ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음5,616
ZVNL120ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,894
ZVNL120C Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음3,708
ZVNL120CSTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음4,608
ZVNL120CSTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음4,104
ZVNL120CSTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음7,506
ZVNL120GTA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음26,646
ZVNL120GTC Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-223 패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA	재고 있음8,532
ZVP0120AS Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음7,740
ZVP0120ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음4,338
ZVP0120ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음2,160
ZVP0120ASTZ Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,462
ZVP0545A Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음15,936
ZVP0545ASTOA Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음8,712
ZVP0545ASTOB Diodes Incorporated	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible) 패키지 / 케이스: E-Line-3	재고 있음6,930

ZVN4424GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 500MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음281,244

ZVN4424GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 0.5A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음7,704

ZVN4424ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 240V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음7,542

ZVN4525E6TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음231,162

ZVN4525E6TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 0.23A SOT23-6

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 230mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23-6
패키지 / 케이스: SOT-23-6

재고 있음2,898

ZVN4525GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음279,144

ZVN4525GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 0.31A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 310mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음3,438

ZVN4525ZTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 240MA SOT-89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.8V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.65nC @ 10V
Vgs (최대): ±40V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 72pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-89-3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음265,278

ZVNL110A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음61,248

ZVNL110ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,524

ZVNL110ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,200

ZVNL110ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음35,586

ZVNL110GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음31,650

ZVNL110GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 600mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 75pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음5,004

ZVNL120A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음25,596

ZVNL120ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음5,616

ZVNL120ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,894

ZVNL120C

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음3,708

ZVNL120CSTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음4,608

ZVNL120CSTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음4,104

ZVNL120CSTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 180mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음7,506

ZVNL120GTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음26,646

ZVNL120GTC

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.32A SOT223

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 320mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 250mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 85pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-223
패키지 / 케이스: TO-261-4, TO-261AA

재고 있음8,532

ZVP0120AS

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음7,740

ZVP0120ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음4,338

ZVP0120ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음2,160

ZVP0120ASTZ

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 110mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32Ohm @ 125mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,462

ZVP0545A

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음15,936

ZVP0545ASTOA

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음8,712

ZVP0545ASTOB

Diodes Incorporated

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: E-Line (TO-92 compatible)
패키지 / 케이스: E-Line-3

재고 있음6,930

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