트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT100GT60JRDQ4 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 148A 500W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 148A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,010
APT150GN120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 215A 625W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 215A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,460
APT150GN120JDQ4 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 215A 625W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 215A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음9,743
APT150GN60J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 536W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 536W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,398
APT150GN60JDQ4 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 220A 536W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 536W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음1,400
APT150GT120JR Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 170A 830W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 830W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,030
APT15GF120JCU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,460
APT200GN60J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 283A 682W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 283A 전력-최대: 682W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,946
APT200GN60JDQ4 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 283A 682W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 283A 전력-최대: 682W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,680
APT200GN60JDQ4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 283A 682W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 283A 전력-최대: 682W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,120
APT200GN60JG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 283A 682W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 283A 전력-최대: 682W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음2,610
APT200GT60JR Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 195A ISOTOP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 195A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,346
APT25GF120JCU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 227W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,472
APT25GLQ120JCU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 170W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,718
APT30GF60JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 58A 192W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 58A 전력-최대: 192W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.85nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음8,208
APT30GF60JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 58A 192W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 58A 전력-최대: 192W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.85nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,174
APT30GP60JDQ1 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 67A 245W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전력-최대: 245W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,374
APT35GP120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 64A 284W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,138
APT35GP120JDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 64A 284W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음3,618
APT35GT120JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 35A 260W SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 260W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.53nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음3,186
APT35GT120JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 55A 260W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 260W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.53nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,232
APT40GF120JRDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 77A 347W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 77A 전력-최대: 347W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.46nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,910
APT40GL120JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 220W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,248
APT40GL120JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 65A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 220W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,578
APT40GLQ120JCU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD 1200V 80A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 25µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,968
APT40GP60JDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 86A 284W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 86A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.61nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,948
APT40GP90J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 900V 68A 284W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 68A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,452
APT40GP90JDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 900V 64A 284W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음3,726
APT45GP120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 329W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 329W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.94nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,802
APT45GP120JDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 329W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 329W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,860

APT100GT60JRDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 148A 500W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 148A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,010

APT150GN120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 215A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,460

APT150GN120JDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 215A 625W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 215A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음9,743

APT150GN60J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 536W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,398

APT150GN60JDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 536W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 536W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음1,400

APT150GT120JR

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 170A 830W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,030

APT15GF120JCU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,460

APT200GN60J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 283A
전력-최대: 682W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,946

APT200GN60JDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 283A
전력-최대: 682W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,680

APT200GN60JDQ4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 283A
전력-최대: 682W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,120

APT200GN60JG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 283A 682W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 283A
전력-최대: 682W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음2,610

APT200GT60JR

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 195A ISOTOP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 195A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,346

APT25GF120JCU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 227W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,472

APT25GLQ120JCU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 170W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,718

APT30GF60JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 58A
전력-최대: 192W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.85nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음8,208

APT30GF60JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 58A 192W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 58A
전력-최대: 192W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.85nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,174

APT30GP60JDQ1

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 67A 245W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전력-최대: 245W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,374

APT35GP120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,138

APT35GP120JDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음3,618

APT35GT120JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 35A 260W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 260W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.53nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음3,186

APT35GT120JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 55A 260W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 260W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.53nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,232

APT40GF120JRDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 77A 347W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 77A
전력-최대: 347W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.46nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,910

APT40GL120JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 65A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 220W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,248

APT40GL120JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 65A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 220W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,578

APT40GLQ120JCU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD 1200V 80A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 25µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,968

APT40GP60JDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 86A 284W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 86A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.61nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,948

APT40GP90J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 900V 68A 284W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 68A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,452

APT40GP90JDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 900V 64A 284W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음3,726

APT45GP120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 329W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.94nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,802

APT45GP120JDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 329W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 329W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,860

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