트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APT46GA90JD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 900V 87A 284W SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 87A 전력-최대: 284W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.17nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,986
APT50GF120JRDQ3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 120A 521W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 521W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.32nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,176
APT50GF60JCU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,650
APT50GF60JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 75A 277W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,966
APT50GF60JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 75A 277W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 40µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,022
APT50GLQ65JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 220W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음3,744
APT50GP60J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 329W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 329W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,218
APT50GP60JDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 329W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 329W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 525µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음5,670
APT50GR120JD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 84A 417W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 84A 전력-최대: 417W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.55nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,218
APT50GT120JRDQ2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 72A 379W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 72A 전력-최대: 379W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음5,400
APT50GT120JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 347W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 347W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,320
APT50GT120JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 347W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 347W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,184
APT60GA60JD60 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 112A 356W SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 112A 전력-최대: 356W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A 전류-수집기 차단 (최대): 275µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.01nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음5,166
APT60GF120JRDQ3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 149A 625W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 149A 전력-최대: 625W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.08nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,470
APT60GF60JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 93A 378W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전력-최대: 378W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 80µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,832
APT60GF60JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 93A 378W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전력-최대: 378W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 80µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음4,194
APT60GT60JR Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 93A 378W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 93A 전력-최대: 378W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 80µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음3,454
APT65GP60J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 130A 431W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 431W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,964
APT70GR120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 112A 543W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 112A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음7,434
APT70GR120JD60 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 112A 543W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 112A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A 전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음6,930
APT75GN120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 124A 전력-최대: 379W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음2,862
APT75GN120JDQ3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 124A 전력-최대: 379W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,642
APT75GN120JDQ3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 124A 379W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 124A 전력-최대: 379W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음4,482
APT75GP120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 128A 543W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 128A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음6,642
APT75GP120JDQ3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 128A 543W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 128A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 1.25mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음9,780
APT75GT120JRDQ3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 97A 480W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 97A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음7,182
APT75GT120JU2 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 416W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,238
APT75GT120JU3 Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음2,538
APT80GP60J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 151A 462W SOT227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 151A 전력-최대: 462W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.84nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: ISOTOP 공급자 장치 패키지: ISOTOP®	재고 있음8,208
APT85GR120J Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 116A 전력-최대: 543W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC 공급자 장치 패키지: SOT-227	재고 있음5,850

APT46GA90JD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 900V 87A 284W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 87A
전력-최대: 284W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.17nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,986

APT50GF120JRDQ3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 120A 521W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 521W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.32nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,176

APT50GF60JCU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis, Stud Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,650

APT50GF60JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 75A 277W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,966

APT50GF60JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 75A 277W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 40µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.25nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,022

APT50GLQ65JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 220W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음3,744

APT50GP60J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 329W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 329W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,218

APT50GP60JDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 329W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 329W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 525µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음5,670

APT50GR120JD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 84A 417W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 84A
전력-최대: 417W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.55nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,218

APT50GT120JRDQ2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 72A 379W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 72A
전력-최대: 379W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음5,400

APT50GT120JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 347W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,320

APT50GT120JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 347W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 347W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,184

APT60GA60JD60

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 112A 356W SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 112A
전력-최대: 356W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
전류-수집기 차단 (최대): 275µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.01nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음5,166

APT60GF120JRDQ3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 149A 625W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 149A
전력-최대: 625W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.08nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,470

APT60GF60JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 93A 378W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전력-최대: 378W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 80µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,832

APT60GF60JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 93A 378W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전력-최대: 378W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 80µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.59nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음4,194

APT60GT60JR

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 93A 378W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 93A
전력-최대: 378W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 80µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음3,454

APT65GP60J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 130A 431W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 431W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,964

APT70GR120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 112A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음7,434

APT70GR120JD60

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 112A 543W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 112A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A
전류-수집기 차단 (최대): 1.1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음6,930

APT75GN120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 124A
전력-최대: 379W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음2,862

APT75GN120JDQ3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 124A
전력-최대: 379W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,642

APT75GN120JDQ3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 124A 379W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 124A
전력-최대: 379W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음4,482

APT75GP120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 128A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음6,642

APT75GP120JDQ3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 128A 543W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 128A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 1.25mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음9,780

APT75GT120JRDQ3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 97A 480W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 97A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음7,182

APT75GT120JU2

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 416W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,238

APT75GT120JU3

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음2,538

APT80GP60J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 151A 462W SOT227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 151A
전력-최대: 462W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.84nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: ISOTOP
공급자 장치 패키지: ISOTOP®

재고 있음8,208

APT85GR120J

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 116A
전력-최대: 543W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 85A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
공급자 장치 패키지: SOT-227

재고 있음5,850

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