트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGF300DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 2100W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,430
APTGF300DA120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,264
APTGF300DU120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DUAL SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,148
APTGF300SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 2100W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,812
APTGF300SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 400A 1780W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,510
APTGF300U120DG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 400A 1780W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,146
APTGF30A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,488
APTGF30H60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,220
APTGF30H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,228
APTGF30TL601G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,474
APTGF30X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 42A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,456
APTGF330A60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT PHASE 600V 520A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 520A 전력-최대: 1560W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,140
APTGF330DA60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 460A 1400W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 460A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음8,820
APTGF330SK60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 460A 1400W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 460A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,250
APTGF350A60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,922
APTGF350DA60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 430A 1562W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,020
APTGF350DU60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DUAL SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,514
APTGF350SK60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 430A 1562W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1562W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,578
APTGF360U60D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 450A 1560W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 450A 전력-최대: 1560W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음4,824
APTGF400U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 510A 2500W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 510A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음4,320
APTGF500U60D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 625A 2000W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 625A 전력-최대: 2000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음8,118
APTGF50A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,510
APTGF50A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,516
APTGF50A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,570
APTGF50DA120CT1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,460
APTGF50DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 312W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,466
APTGF50DA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 312W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,304
APTGF50DDA120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,722
APTGF50DDA60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,454
APTGF50DH120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,842

APTGF300DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 2100W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,430

APTGF300DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BOOST CHOP 1200V 400A S

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,264

APTGF300DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DUAL SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,148

APTGF300SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 2100W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 19nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,812

APTGF300SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 400A 1780W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,510

APTGF300U120DG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 400A 1780W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,146

APTGF30A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,488

APTGF30H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,220

APTGF30H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,228

APTGF30TL601G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 30A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,474

APTGF30X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT 2PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 42A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.35nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,456

APTGF330A60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT PHASE 600V 520A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 520A
전력-최대: 1560W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,140

APTGF330DA60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 460A 1400W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 460A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음8,820

APTGF330SK60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 460A 1400W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 460A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,250

APTGF350A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 350A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,922

APTGF350DA60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 430A 1562W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,020

APTGF350DU60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DUAL SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,514

APTGF350SK60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 430A 1562W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1562W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 360A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,578

APTGF360U60D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 450A 1560W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 450A
전력-최대: 1560W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 360A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음4,824

APTGF400U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 510A 2500W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 510A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음4,320

APTGF500U60D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 625A 2000W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 625A
전력-최대: 2000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 500A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음8,118

APTGF50A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,510

APTGF50A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,516

APTGF50A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,570

APTGF50DA120CT1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,460

APTGF50DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 312W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,466

APTGF50DA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 312W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,304

APTGF50DDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD NPT 1200V 50A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,722

APTGF50DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,454

APTGF50DH120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,842

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