트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGL60DDA120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,556
APTGL60DH120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 80A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,634
APTGL60DSK120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 80A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,590
APTGL60H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 80A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,748
APTGL60TL120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,292
APTGL700DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 840A 전력-최대: 3000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,528
APTGL700SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 840A 전력-최대: 3000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음8,712
APTGL700U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 910A 3000W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 910A 전력-최대: 3000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음5,526
APTGL90A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,844
APTGL90DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,916
APTGL90DDA120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,184
APTGL90DH120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,390
APTGL90DSK120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,034
APTGL90H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,464
APTGL90SK120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,536
APTGLQ100A120T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 185A 전력-최대: 650W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,724
APTGLQ100A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,060
APTGLQ100A65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,536
APTGLQ100DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 170A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,686
APTGLQ100H65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 135A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음8,424
APTGLQ150A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,298
APTGLQ150H120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,588
APTGLQ200A120T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음6,930
APTGLQ200H120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 350A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,258
APTGLQ200H65G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 270A 전력-최대: 680W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 75µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,340
APTGLQ200HR120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,896
APTGLQ25H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 165W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,124
APTGLQ25H120T2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 165W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음7,740
APTGLQ300A120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,636
APTGLQ300H65G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,688

APTGL60DDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,556

APTGL60DH120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 80A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,634

APTGL60DSK120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 80A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,590

APTGL60H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 80A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,748

APTGL60TL120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 1200V 60A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.77nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,292

APTGL700DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 840A
전력-최대: 3000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,528

APTGL700SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 840A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 840A
전력-최대: 3000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음8,712

APTGL700U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 910A 3000W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 910A
전력-최대: 3000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음5,526

APTGL90A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,844

APTGL90DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,916

APTGL90DDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,184

APTGL90DH120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,390

APTGL90DSK120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,034

APTGL90H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,464

APTGL90SK120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,536

APTGLQ100A120T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 185A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 185A
전력-최대: 650W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,724

APTGLQ100A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,060

APTGLQ100A65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 650V 200A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,536

APTGLQ100DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 170A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,686

APTGLQ100H65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 135A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음8,424

APTGLQ150A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,298

APTGLQ150H120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,588

APTGLQ200A120T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음6,930

APTGLQ200H120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 350A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 350A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,258

APTGLQ200H65G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 270A
전력-최대: 680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 75µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,340

APTGLQ200HR120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,896

APTGLQ25H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 165W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,124

APTGLQ25H120T2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 165W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.43nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음7,740

APTGLQ300A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,636

APTGLQ300H65G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 650V 600A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,688

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message