트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT150A120T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 833W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,556
APTGT150A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,266
APTGT150A170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,614
APTGT150A170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,724
APTGT150A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,984
APTGT150A60T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 225A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,500
APTGT150A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,932
APTGT150DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 220A 700W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,636
APTGT150DA120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 220A 690W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,006
APTGT150DA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 200A 690W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,310
APTGT150DA170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 280A 780W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,294
APTGT150DA170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 250A 890W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,816
APTGT150DA60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,544
APTGT150DA60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 225A 480W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,240
APTGT150DH120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,482
APTGT150DH170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,112
APTGT150DH60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,328
APTGT150DU120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,544
APTGT150DU120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,688
APTGT150DU170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,436
APTGT150DU60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,688
APTGT150H120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,554
APTGT150H170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,402
APTGT150H60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,434
APTGT150SK120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 220A 700W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,654
APTGT150SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 220A 690W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,976
APTGT150SK120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 220A 690W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 690W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,928
APTGT150SK170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 280A 780W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전력-최대: 780W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음4,680
APTGT150SK170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 250A 890W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 250A 전력-최대: 890W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,796
APTGT150SK60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 225A 480W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 225A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,200

APTGT150A120T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 833W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,556

APTGT150A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,266

APTGT150A170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,614

APTGT150A170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,724

APTGT150A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,984

APTGT150A60T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 225A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,500

APTGT150A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,932

APTGT150DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 220A 700W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,636

APTGT150DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 220A 690W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,006

APTGT150DA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 200A 690W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,310

APTGT150DA170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 280A 780W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,294

APTGT150DA170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 250A 890W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,816

APTGT150DA60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BOOST CHOP 600V 225A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,544

APTGT150DA60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 225A 480W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,240

APTGT150DH120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,482

APTGT150DH170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,112

APTGT150DH60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,328

APTGT150DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH DL SRC SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,544

APTGT150DU120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,688

APTGT150DU170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,436

APTGT150DU60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,688

APTGT150H120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,554

APTGT150H170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,402

APTGT150H60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,434

APTGT150SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 220A 700W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,654

APTGT150SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 220A 690W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,976

APTGT150SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 220A 690W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 690W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,928

APTGT150SK170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 280A 780W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전력-최대: 780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음4,680

APTGT150SK170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 250A 890W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 250A
전력-최대: 890W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,796

APTGT150SK60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 225A 480W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 225A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,200

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