트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGLQ300SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,280
APTGLQ30H65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 95W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,780
APTGLQ400A120T6G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 1900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,138
APTGLQ40DDA120CT3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,604
APTGLQ40H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,164
APTGLQ40HR120CT3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,190
APTGLQ50DDA65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 175W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,524
APTGLQ50H65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 175W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,194
APTGLQ50H65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 175W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음2,430
APTGLQ50TL65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 175W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음7,506
APTGLQ50VDA65T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 175W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP3F	재고 있음2,772
APTGLQ600A65T6G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A 전력-최대: 2000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,526
APTGLQ75H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,582
APTGLQ75H120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE - IGBT 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 385W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,240
APTGLQ75H65T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,640
APTGLQ80HR120CT3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,704
APTGT100A1202G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 140A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음3,526
APTGT100A120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,852
APTGT100A120T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 140A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 595W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,346
APTGT100A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,706
APTGT100A170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 695W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,538
APTGT100A170TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 560W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,348
APTGT100A602G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 150A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음7,218
APTGT100A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,220
APTGT100A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,916
APTGT100BB60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 340W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,142
APTGT100DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 150A 520W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음4,158
APTGT100DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 140A 480W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,420
APTGT100DA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 140A 480W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 480W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,744
APTGT100DA170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 200A 695W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 695W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,632

APTGLQ300SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 17.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,280

APTGLQ30H65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 95W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,780

APTGLQ400A120T6G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 1900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,138

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 700A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,604

APTGLQ40H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 75A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,164

APTGLQ40HR120CT3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,190

APTGLQ50DDA65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,524

APTGLQ50H65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,194

APTGLQ50H65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음2,430

APTGLQ50TL65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음7,506

APTGLQ50VDA65T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 175W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP3F

재고 있음2,772

APTGLQ600A65T6G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 650V 1200A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1200A
전력-최대: 2000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,526

APTGLQ75H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,582

APTGLQ75H120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE - IGBT

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 385W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,240

APTGLQ75H65T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,640

APTGLQ80HR120CT3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

PWR MOD PHASE LEG/DUAL CE SP3F

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,704

APTGT100A1202G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 140A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음3,526

APTGT100A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,852

APTGT100A120T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 140A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,346

APTGT100A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,706

APTGT100A170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 695W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,538

APTGT100A170TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 560W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,348

APTGT100A602G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 150A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음7,218

APTGT100A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,220

APTGT100A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PH LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,916

APTGT100BB60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT3 BOOST BUCK SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 340W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,142

APTGT100DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A 520W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음4,158

APTGT100DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 140A 480W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,420

APTGT100DA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 140A 480W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 480W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,744

APTGT100DA170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 200A 695W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 695W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 8.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

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