트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGF50DH120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,146
APTGF50DH60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,808
APTGF50DH60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,426
APTGF50DSK120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,106
APTGF50DSK60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,736
APTGF50DU120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DUAL SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,434
APTGF50H120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,982
APTGF50H60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,124
APTGF50H60T2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,832
APTGF50H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,860
APTGF50SK120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 312W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,650
APTGF50SK120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 312W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,784
APTGF50TA120PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음7,002
APTGF50TDU120PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음5,274
APTGF50TL60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,678
APTGF50VDA120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,204
APTGF50VDA60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,204
APTGF50X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,546
APTGF530U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 700A 3900W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 3900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음5,616
APTGF660U60D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 860A 2800W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 860A 전력-최대: 2800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음7,038
APTGF75DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 100A 500W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,310
APTGF75DA60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 355W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음5,076
APTGF75DDA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,452
APTGF75DH120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음6,462
APTGF75DSK120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,794
APTGF75H120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,078
APTGF75SK60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 100A 355W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 355W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음4,176
APTGF90A60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,106
APTGF90A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,786
APTGF90A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,388

APTGF50DH120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,146

APTGF50DH60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BRIDGE 600V 65A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,808

APTGF50DH60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,426

APTGF50DSK120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,106

APTGF50DSK60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,736

APTGF50DU120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DUAL SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,434

APTGF50H120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,982

APTGF50H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,124

APTGF50H60T2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,832

APTGF50H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,860

APTGF50SK120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 312W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,650

APTGF50SK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 312W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,784

APTGF50TA120PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음7,002

APTGF50TDU120PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT TRPL DUAL SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음5,274

APTGF50TL60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT ARRAY 600V 65A 250W SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,678

APTGF50VDA120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.45nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,204

APTGF50VDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,204

APTGF50X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,546

APTGF530U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 700A 3900W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 3900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음5,616

APTGF660U60D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 860A 2800W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 860A
전력-최대: 2800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 36nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음7,038

APTGF75DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A 500W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,310

APTGF75DA60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 355W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음5,076

APTGF75DDA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,452

APTGF75DH120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음6,462

APTGF75DSK120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT BUCK CHOP SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,794

APTGF75H120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 1200V 75A SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,078

APTGF75SK60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 100A 355W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 355W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음4,176

APTGF90A60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,106

APTGF90A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,786

APTGF90A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,388

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message