트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGF90DA60CT1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,606
APTGF90DA60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 130A 445W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 445W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음6,498
APTGF90DA60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 110A 416W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,796
APTGF90DA60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 110A 416W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,238
APTGF90DH60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,770
APTGF90DH60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,442
APTGF90DU60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음7,560
APTGF90H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,964
APTGF90H60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음4,428
APTGF90SK60D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 130A 445W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 445W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음8,712
APTGF90SK60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 110A 416W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,400
APTGF90SK60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 110A 416W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,250
APTGF90TA60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음3,114
APTGF90TDU60PG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 416W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음4,788
APTGFQ25H120T2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 40A 227W MODULE 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT and Fieldstop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 227W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.02nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음4,104
APTGL120TA120TPG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 517W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,682
APTGL120TDU120TPG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 140A SP6-P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Triple, Dual - Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 140A 전력-최대: 517W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음3,600
APTGL180A1202G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음7,848
APTGL180A120T3AG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,264
APTGL240TL120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 305A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음238
APTGL325A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,438
APTGL325DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 1500W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,284
APTGL325SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 420A 1500W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,722
APTGL40H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 65A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 220W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,284
APTGL40X120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 65A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 220W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,878
APTGL475A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2080W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,362
APTGL475DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 610A 2080W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2080W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음8,154
APTGL475SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 610A 2080W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2080W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,240
APTGL475U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2082W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음7,722
APTGL475U120DAG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 610A 전력-최대: 2307W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음1

APTGF90DA60CT1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT SIC CHOPPER SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,606

APTGF90DA60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 130A 445W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 445W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음6,498

APTGF90DA60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 110A 416W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,796

APTGF90DA60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 110A 416W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,238

APTGF90DH60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BRIDGE 600V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,770

APTGF90DH60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,442

APTGF90DU60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT DUAL SOURCE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음7,560

APTGF90H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,964

APTGF90H60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음4,428

APTGF90SK60D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 130A 445W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 445W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음8,712

APTGF90SK60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 110A 416W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,400

APTGF90SK60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 110A 416W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,250

APTGF90TA60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT TRPL PHASE SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음3,114

APTGF90TDU60PG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE NPT TRPLE DUAL SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 416W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 90A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음4,788

APTGFQ25H120T2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT and Fieldstop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 227W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.02nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음4,104

APTGL120TA120TPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 517W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,682

APTGL120TDU120TPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 140A SP6-P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Triple, Dual - Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 140A
전력-최대: 517W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음3,600

APTGL180A1202G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음7,848

APTGL180A120T3AG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT ARRAY 1200V 230A 940W SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,264

APTGL240TL120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT4 3LVL INVERT SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 305A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 12.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음238

APTGL325A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT4 PHASE LEG 1200V 420A D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,438

APTGL325DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 1500W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,284

APTGL325SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 420A 1500W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,722

APTGL40H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 65A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 220W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,284

APTGL40X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 65A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 220W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.95nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,878

APTGL475A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2080W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,362

APTGL475DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 610A 2080W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2080W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음8,154

APTGL475SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 610A 2080W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2080W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,240

APTGL475U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2082W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음7,722

APTGL475U120DAG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 610A
전력-최대: 2307W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음1

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