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트랜지스터

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부품 번호
설명
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APTGT20H60T1G
APTGT20H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
  • 전력-최대: 62W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음4,482
APTGT20H60T3G
APTGT20H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
  • 전력-최대: 62W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음5,058
APTGT20TL601G
APTGT20TL601G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 32A SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Level Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
  • 전력-최대: 62W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1pF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음8,604
APTGT20X60T3G
APTGT20X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
  • 전력-최대: 62W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음4,266
APTGT225A170G
APTGT225A170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음4,140
APTGT225DA170G
APTGT225DA170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음6,444
APTGT225DU170G
APTGT225DU170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음8,550
APTGT225SK170G
APTGT225SK170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음3,042
APTGT25A120D1G
APTGT25A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 140W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음7,542
APTGT25A120T1G
APTGT25A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 156W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음2,754
APTGT25DA120D1G
APTGT25DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 140W D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 140W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음6,102
APTGT25H120T1G
APTGT25H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Full Bridge Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 156W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP1
  • 공급자 장치 패키지: SP1
재고 있음6,624
APTGT25SK120D1G
APTGT25SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 140W D1

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 140W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D1
  • 공급자 장치 패키지: D1
재고 있음5,832
APTGT25X120T3G
APTGT25X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Three Phase Inverter
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전력-최대: 156W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP3
  • 공급자 장치 패키지: SP3
재고 있음3,600
APTGT300A120D3G
APTGT300A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 8mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음4,644
APTGT300A120G
APTGT300A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
  • 전력-최대: 1380W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음6,714
APTGT300A170D3G
APTGT300A170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
  • 전력-최대: 1470W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 8mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음2,304
APTGT300A170G
APTGT300A170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 1660W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 750µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음3,186
APTGT300A60D3G
APTGT300A60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 940W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음3,348
APTGT300A60G
APTGT300A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
  • 전력-최대: 1150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음4,644
APTGT300A60TG
APTGT300A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Half Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
  • 전력-최대: 935W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: Yes
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP4
  • 공급자 장치 패키지: SP4
재고 있음5,814
APTGT300DA120D3G
APTGT300DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 440A 1250W D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
  • 전력-최대: 1250W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 8mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음8,064
APTGT300DA120G
APTGT300DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
  • 전력-최대: 1380W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음2,790
APTGT300DA170D3G
APTGT300DA170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 530A 1470W D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
  • 전력-최대: 1470W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 8mA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음3,582
APTGT300DA170G
APTGT300DA170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 400A 1660W SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 1660W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 750µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음8,604
APTGT300DA60D3G
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Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A 940W D3

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 940W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: D-3 Module
  • 공급자 장치 패키지: D3
재고 있음4,032
APTGT300DA60G
APTGT300DA60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 430A 1150W SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Single
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
  • 전력-최대: 1150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음8,280
APTGT300DH60G
APTGT300DH60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Asymmetrical Bridge
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
  • 전력-최대: 1150W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 350µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음6,930
APTGT300DU120G
APTGT300DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
  • 전력-최대: 1380W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음2,538
APTGT300DU170G
APTGT300DU170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 구성: Dual, Common Source
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
  • 전력-최대: 1660W
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 750µA
  • 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
  • 입력: Standard
  • NTC 서미스터: No
  • 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Chassis Mount
  • 패키지 / 케이스: SP6
  • 공급자 장치 패키지: SP6
재고 있음4,446