트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT20H60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음4,482
APTGT20H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,058
APTGT20TL601G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 32A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음8,604
APTGT20X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 32A 전력-최대: 62W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음4,266
APTGT225A170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,140
APTGT225DA170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 340A 1250W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,444
APTGT225DU170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,550
APTGT225SK170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 340A 1250W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 340A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,042
APTGT25A120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,542
APTGT25A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,754
APTGT25DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 40A 140W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음6,102
APTGT25H120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,624
APTGT25SK120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 40A 140W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 140W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음5,832
APTGT25X120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 156W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음3,600
APTGT300A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,644
APTGT300A120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,714
APTGT300A170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 1470W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음2,304
APTGT300A170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,186
APTGT300A60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,348
APTGT300A60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,644
APTGT300A60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 935W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,814
APTGT300DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 440A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음8,064
APTGT300DA120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,790
APTGT300DA170D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 530A 1470W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 530A 전력-최대: 1470W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음3,582
APTGT300DA170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 400A 1660W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,604
APTGT300DA60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 400A 940W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 940W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음4,032
APTGT300DA60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 430A 1150W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,280
APTGT300DH60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 1150W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 350µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,930
APTGT300DU120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1380W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,538
APTGT300DU170G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,446

APTGT20H60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음4,482

APTGT20H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,058

APTGT20TL601G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 32A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음8,604

APTGT20X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 32A
전력-최대: 62W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음4,266

APTGT225A170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,140

APTGT225DA170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,444

APTGT225DU170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,550

APTGT225SK170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 340A 1250W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 340A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,042

APTGT25A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,542

APTGT25A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,754

APTGT25DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 140W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음6,102

APTGT25H120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,624

APTGT25SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 40A 140W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 140W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음5,832

APTGT25X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 156W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음3,600

APTGT300A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,644

APTGT300A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,714

APTGT300A170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 1470W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음2,304

APTGT300A170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,186

APTGT300A60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,348

APTGT300A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,644

APTGT300A60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 935W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,814

APTGT300DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 440A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음8,064

APTGT300DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE BOOST CHOP 1200V SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,790

APTGT300DA170D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 530A 1470W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 530A
전력-최대: 1470W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음3,582

APTGT300DA170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 400A 1660W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,604

APTGT300DA60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A 940W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 940W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 18.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음4,032

APTGT300DA60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 430A 1150W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,280

APTGT300DH60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 350µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,930

APTGT300DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1380W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,538

APTGT300DU170G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH DUAL SOURCE 1700V SP

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 26.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

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