트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT35SK120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 55A 205W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 205W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,744
APTGT35X120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 55A 전력-최대: 208W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,750
APTGT400A120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음6,156
APTGT400A120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 560A 전력-최대: 1785W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,606
APTGT400A60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음6,102
APTGT400DA120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 580A 2100W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음5,040
APTGT400DA120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 560A 1785W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 560A 전력-최대: 1785W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,814
APTGT400DA60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 500A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,344
APTGT400DU120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 560A 전력-최대: 1785W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,834
APTGT400SK120D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 580A 2100W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A 전력-최대: 2100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음5,562
APTGT400SK120G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 560A 1785W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 560A 전력-최대: 1785W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,142
APTGT400SK60D3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 500A 1250W D3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D-3 Module 공급자 장치 패키지: D3	재고 있음7,380
APTGT400TL65G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 650V SP6C 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,916
APTGT400U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 600A 2250W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 2250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음5,418
APTGT400U170D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 800A 2080W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 800A 전력-최대: 2080W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음8,586
APTGT450A60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 1750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음2,384
APTGT450DA60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 550A 1750W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 1750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음7,938
APTGT450DU60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 1750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,292
APTGT450SK60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 550A 1750W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 550A 전력-최대: 1750W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음8,406
APTGT50A1202G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 75A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음4,878
APTGT50A120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 270W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음2,736
APTGT50A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음3,006
APTGT50A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,760
APTGT50A170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 310W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,526
APTGT50A170T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,400
APTGT50A170TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 312W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,276
APTGT50A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 176W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,336
APTGT50DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 270W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 270W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음5,004
APTGT50DA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 75A 277W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 277W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음2,502
APTGT50DA170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 70A 310W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 310W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음5,562

APTGT35SK120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 55A 205W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 205W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,744

APTGT35X120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH 3PH BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 55A
전력-최대: 208W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,750

APTGT400A120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음6,156

APTGT400A120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 560A
전력-최대: 1785W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,606

APTGT400A60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음6,102

APTGT400DA120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 580A 2100W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음5,040

APTGT400DA120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 560A
전력-최대: 1785W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,814

APTGT400DA60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 500A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,344

APTGT400DU120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH DUAL SRC 1200V SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 560A
전력-최대: 1785W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,834

APTGT400SK120D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 580A 2100W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
전력-최대: 2100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 29nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음5,562

APTGT400SK120G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 560A 1785W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 560A
전력-최대: 1785W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,142

APTGT400SK60D3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 500A 1250W D3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 24nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D-3 Module
공급자 장치 패키지: D3

재고 있음7,380

APTGT400TL65G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 650V SP6C

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,916

APTGT400U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 600A 2250W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 2250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음5,418

APTGT400U170D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 800A 2080W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 800A
전력-최대: 2080W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 33nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음8,586

APTGT450A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 1750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음2,384

APTGT450DA60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 550A 1750W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 1750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음7,938

APTGT450DU60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 1750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,292

APTGT450SK60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 550A 1750W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 550A
전력-최대: 1750W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 450A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음8,406

APTGT50A1202G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 75A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음4,878

APTGT50A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 270W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음2,736

APTGT50A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음3,006

APTGT50A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,760

APTGT50A170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 310W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,526

APTGT50A170T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,400

APTGT50A170TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 312W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,276

APTGT50A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 176W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,336

APTGT50DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 270W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 270W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음5,004

APTGT50DA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 75A 277W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 277W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음2,502

APTGT50DA170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 70A 310W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 310W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.4nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음5,562

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