트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGT50TL60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 80A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Level Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 176W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음5,220
APTGT50X60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 176W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음6,246
APTGT580U60D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 760A 1600W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 760A 전력-최대: 1600W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음4,248
APTGT600A60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 2300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음5,652
APTGT600DA60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 700A 2300W SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 2300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음3,204
APTGT600DU60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 2300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음6,768
APTGT600SK60G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 700A 전력-최대: 2300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 750µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6	재고 있음4,050
APTGT600U120D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 900A 2500W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 40nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음6,660
APTGT600U170D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1100A 전력-최대: 2900W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음6,504
APTGT750U60D4G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 600V 1000A 2300W D4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A 전력-최대: 2300W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D4 공급자 장치 패키지: D4	재고 있음7,362
APTGT75A1202G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP2 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP2 공급자 장치 패키지: SP2	재고 있음4,554
APTGT75A120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,258
APTGT75A120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,102
APTGT75A120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,330
APTGT75A170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음8,622
APTGT75A60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음5,994
APTGT75DA120D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음3,454
APTGT75DA120T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음2,286
APTGT75DA120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1200V 110A 357W SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,760
APTGT75DA170D1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 120A 520W D1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전력-최대: 520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: D1 공급자 장치 패키지: D1	재고 있음7,578
APTGT75DA170T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 1700V 130A 465W SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 465W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,804
APTGT75DA60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 POWER MOD IGBT 600V 100A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음7,452
APTGT75DDA60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Boost Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,002
APTGT75DH120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 1200V 110A SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,892
APTGT75DH120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,762
APTGT75DH60T1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT 600V 100A SP1 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP1 공급자 장치 패키지: SP1	재고 있음6,156
APTGT75DH60TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Asymmetrical Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,748
APTGT75DSK60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual Buck Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음7,200
APTGT75DU120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Dual, Common Source 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 350W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음5,220
APTGT75H120TG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A 전력-최대: 357W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음8,064

APTGT50TL60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 80A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Level Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 176W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음5,220

APTGT50X60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH 3PHASE BRIDGE SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 176W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음6,246

APTGT580U60D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 760A 1600W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 760A
전력-최대: 1600W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 37nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음4,248

APTGT600A60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MODULE IGBT 600V 600A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음5,652

APTGT600DA60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 700A 2300W SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음3,204

APTGT600DU60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음6,768

APTGT600SK60G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH BUCK CHOP 600V SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 700A
전력-최대: 2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6

재고 있음4,050

APTGT600U120D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 900A 2500W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 40nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음6,660

APTGT600U170D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT TRENCH SGL SWITCH 1700V D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1100A
전력-최대: 2900W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 51nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음6,504

APTGT750U60D4G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 1000A 2300W D4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 1000A
전력-최대: 2300W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 49nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D4
공급자 장치 패키지: D4

재고 있음7,362

APTGT75A1202G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP2

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP2
공급자 장치 패키지: SP2

재고 있음4,554

APTGT75A120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,258

APTGT75A120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,102

APTGT75A120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,330

APTGT75A170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음8,622

APTGT75A60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음5,994

APTGT75DA120D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5345nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음3,454

APTGT75DA120T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음2,286

APTGT75DA120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 110A 357W SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,760

APTGT75DA170D1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 120A 520W D1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전력-최대: 520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: D1
공급자 장치 패키지: D1

재고 있음7,578

APTGT75DA170T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1700V 130A 465W SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 465W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.8nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,804

APTGT75DA60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

POWER MOD IGBT 600V 100A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음7,452

APTGT75DDA60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,002

APTGT75DH120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 1200V 110A SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,892

APTGT75DH120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,762

APTGT75DH60T1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 600V 100A SP1

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP1
공급자 장치 패키지: SP1

재고 있음6,156

APTGT75DH60TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Asymmetrical Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음8,748

APTGT75DSK60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual Buck Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음7,200

APTGT75DU120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Dual, Common Source
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 350W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음5,220

APTGT75H120TG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
전력-최대: 357W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.34nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

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