트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BSM15GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 145W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,626
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 145W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,956
BSM15GP120BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전력-최대: 180W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,202
BSM15GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 25A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,158
BSM200GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,088
BSM200GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 370A 전력-최대: 1450W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,676
BSM200GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1550W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,244
BSM200GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1920W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,952
BSM200GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 420A 전력-최대: 1550W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,930
BSM200GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 290A 전력-최대: 1400W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 4mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,509
BSM200GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT AG-62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,366
BSM200GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전력-최대: 1660W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,784
BSM200GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 230A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A 전력-최대: 730W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,742
BSM200GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 226A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,840
BSM20GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전력-최대: 130W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,718
BSM25GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전력-최대: 200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 800µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,768
BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전력-최대: 200W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 800µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,010
BSM25GP120BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전력-최대: 230W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A 전류-수집기 차단 (최대): 20A 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,330
BSM300GA120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 570A 전력-최대: 2250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,186
BSM300GA120DLCSHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 570A 전력-최대: 2250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,866
BSM300GA120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 430A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5.6mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,844
BSM300GA170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 600A 전력-최대: 2520W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 600µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,070
BSM300GA170DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 1700V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 440A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,412
BSM300GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 625A 전력-최대: 2500W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,758
BSM300GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: 2 Independent 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 375A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,622
BSM30GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 135W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,768
BSM30GD60DLCE3224 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A 전력-최대: 135W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,742
BSM30GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 180W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 300nA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,860
BSM35GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,230
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전력-최대: 280W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A 전류-수집기 차단 (최대): 80µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,222

BSM15GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 145W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 100pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,626

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 145W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,956

BSM15GP120BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전력-최대: 180W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,202

BSM15GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 25A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,158

BSM200GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,088

BSM200GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 370A
전력-최대: 1450W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,676

BSM200GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1550W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,244

BSM200GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1920W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,952

BSM200GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 420A
전력-최대: 1550W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,930

BSM200GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 290A
전력-최대: 1400W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 4mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,509

BSM200GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT AG-62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,366

BSM200GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전력-최대: 1660W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,784

BSM200GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 230A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
전력-최대: 730W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,742

BSM200GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 226A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,840

BSM20GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전력-최대: 130W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.1nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,718

BSM25GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전력-최대: 200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 800µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,768

BSM25GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전력-최대: 200W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 800µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.65nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,010

BSM25GP120BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전력-최대: 230W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 25A
전류-수집기 차단 (최대): 20A
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.5nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,330

BSM300GA120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 570A
전력-최대: 2250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,186

BSM300GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 570A
전력-최대: 2250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,866

BSM300GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Switch
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 430A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5.6mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 22nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,844

BSM300GA170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 600A
전력-최대: 2520W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 600µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,070

BSM300GA170DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 1700V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 440A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,412

BSM300GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 625A
전력-최대: 2500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 21nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,758

BSM300GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: 2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 375A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 300A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 13nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,622

BSM30GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 135W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,768

BSM30GD60DLCE3224

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BSM30GD60DLCE3224BOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
전력-최대: 135W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,742

BSM30GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 180W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 300nA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1.6nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,860

BSM35GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,230

BSM35GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전력-최대: 280W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 35A
전류-수집기 차단 (최대): 80µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,222

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message