트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
APTGV50H120BTPG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 270W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP6 공급자 장치 패키지: SP6-P	재고 있음2,988
APTGV50H120T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전력-최대: 270W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,316
APTGV50H60BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 176W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP4 공급자 장치 패키지: SP4	재고 있음3,168
APTGV50H60BT3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 MOD IGBT NPT 600V SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Boost Chopper, Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,610
APTGV50H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전력-최대: 176W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음8,460
APTGV75H60T3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 구성: Full Bridge Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: SP3 공급자 장치 패키지: SP3	재고 있음2,088
BSM100GAL120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single Chopper 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 205A 전력-최대: 835W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,968
BSM100GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 830W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,968
BSM100GB120DLCKHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: 830W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,760
BSM100GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,670
BSM100GB120DN2KHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 34MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 145A 전력-최대: 700W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음4,104
BSM100GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A 전력-최대: 960W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,892
BSM100GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 1700V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 145A 전력-최대: 1000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,814
BSM100GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 130A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 445W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,730
BSM100GD120DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 12.2µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음2,950
BSM100GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전력-최대: 680W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,244
BSM100GD60DLCBOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 130A 전력-최대: 430W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,780
BSM100GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 135A 전력-최대: 420W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,156
BSM10GD120DN2BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * IGBT 유형: - 구성: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전력-최대: - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: - 입력: - NTC 서미스터: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,418
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전력-최대: 80W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 530pF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음3,036
BSM10GP120BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 100W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,776
BSM10GP60BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Three Phase Inverter 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전력-최대: 80W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V 입력: Three Phase Bridge Rectifier NTC 서미스터: Yes 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,280
BSM150GB120DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음280
BSM150GB120DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 210A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 2.8mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,920
BSM150GB170DLCE3256HDLA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT AG-62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,726
BSM150GB170DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 MED POWER 62MM-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 300A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음6,876
BSM150GB170DN2HOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 MODULE IGBT 1700V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A 전력-최대: 1250W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음7,758
BSM150GB60DLCHOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT MODULE 600V 180A 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전력-최대: 595W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음159
BSM150GD60DLC Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT BSM150GD60DLCBOSA1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 구성: Single 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 180A 전력-최대: 570W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음8,874
BSM15GD120DLCE3224BOSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-모듈 IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 구성: Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 35A 전력-최대: 145W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 76µA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V 입력: Standard NTC 서미스터: No 작동 온도: -40°C ~ 125°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Module 공급자 장치 패키지: Module	재고 있음5,472

APTGV50H120BTPG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 270W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP6
공급자 장치 패키지: SP6-P

재고 있음2,988

APTGV50H120T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전력-최대: 270W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.6nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,316

APTGV50H60BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 176W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP4
공급자 장치 패키지: SP4

재고 있음3,168

APTGV50H60BT3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT NPT 600V SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Boost Chopper, Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,610

APTGV50H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전력-최대: 176W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.15nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음8,460

APTGV75H60T3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
구성: Full Bridge Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.62nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: SP3
공급자 장치 패키지: SP3

재고 있음2,088

BSM100GAL120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 205A
전력-최대: 835W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,968

BSM100GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,968

BSM100GB120DLCKHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: 830W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,760

BSM100GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,670

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 34MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 145A
전력-최대: 700W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음4,104

BSM100GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
전력-최대: 960W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 7nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,892

BSM100GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 1700V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 145A
전력-최대: 1000W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,814

BSM100GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 130A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 445W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,730

BSM100GD120DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 12.2µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음2,950

BSM100GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전력-최대: 680W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,244

BSM100GD60DLCBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 130A
전력-최대: 430W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,780

BSM100GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO3-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 135A
전력-최대: 420W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,156

BSM10GD120DN2BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
IGBT 유형: -
구성: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전력-최대: -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
입력: -
NTC 서미스터: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,418

BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전력-최대: 80W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 530pF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음3,036

BSM10GP120BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 100W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,776

BSM10GP60BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-5

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전력-최대: 80W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 600pF @ 25V
입력: Three Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터: Yes
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,280

BSM150GB120DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음280

BSM150GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 210A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 2.8mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 11nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,920

BSM150GB170DLCE3256HDLA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT AG-62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,726

BSM150GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 300A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음6,876

BSM150GB170DN2HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

MODULE IGBT 1700V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
전력-최대: 1250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 1.5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 20nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음7,758

BSM150GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 180A

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전력-최대: 595W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음159

BSM150GD60DLC

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT BSM150GD60DLCBOSA1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
구성: Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 180A
전력-최대: 570W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 150A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6.5nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음8,874

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
구성: Full Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 35A
전력-최대: 145W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 76µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 1nF @ 25V
입력: Standard
NTC 서미스터: No
작동 온도: -40°C ~ 125°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Module
공급자 장치 패키지: Module

재고 있음5,472

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