트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N2918 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,482
2N2919 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,904
2N2919 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,634
2N2919A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,812
2N2919L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,322
2N2919U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 3-SMD	재고 있음2,088
2N2920 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,500
2N2920 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,508
2N2920A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 2nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,920
2N2920L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,958
2N2920U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지: 6-SMD	재고 있음3,600
2N3726 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,832
2N3727 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,030
2N3806 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,028
2N3807 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,158
2N3808 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,838
2N3809 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,128
2N3810 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,996
2N3810 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음9,192
2N3810A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,266
2N3810L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,264
2N3810U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음5,112
2N3811 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,482
2N3811 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,914
2N3811A Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,762
2N3811L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,280
2N3811U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,372
2N3838 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-FlatPack 공급자 장치 패키지: 6-Flatpack	재고 있음8,244
2N4015 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,704
2N4016 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,418

2N2918

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30MA 45V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 10µA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,482

2N2919

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,904

2N2919

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,634

2N2919A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 10µA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,812

2N2919L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,322

2N2919U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 3-SMD

재고 있음2,088

2N2920

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,500

2N2920

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,508

2N2920A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 30MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 2nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,920

2N2920L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 60V 0.03A TO78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,958

2N2920U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지: 6-SMD

재고 있음3,600

2N3726

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,832

2N3727

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 300MA 45V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,030

2N3806

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,028

2N3807

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,158

2N3808

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,838

2N3809

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,128

2N3810

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,996

2N3810

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음9,192

2N3810A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,266

2N3810L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,264

2N3810U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음5,112

2N3811

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,482

2N3811

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,914

2N3811A

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 100µA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,762

2N3811L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,280

2N3811U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,372

2N3838

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6 PFLTPK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-FlatPack
공급자 장치 패키지: 6-Flatpack

재고 있음8,244

2N4015

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,704

2N4016

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 300MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 5V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,418

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