트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2N4854 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,644
2N4854U TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-CLCC 공급자 장치 패키지: 6-CLCC	재고 있음7,092
2N4854UTX TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-CLCC 공급자 장치 패키지: 6-CLCC	재고 있음4,950
2N4937 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,586
2N4938 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,860
2N4939 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음6,336
2N5793 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,294
2N5794 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음7,488
2N5794U TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 40V 0.6A 6CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-CLCC 공급자 장치 패키지: 6-CLCC	재고 있음6,768
2N5795 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,086
2N5796 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음2,592
2N5796U TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 60V 0.6A 6CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 600mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-CLCC 공급자 장치 패키지: 6-CLCC	재고 있음4,032
2N5912 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음4,158
2N6502 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANSISTOR DUAL TO78 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음8,982
2N6987 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: TO-116	재고 있음2,232
2N6987U TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A 20CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-CLCC 공급자 장치 패키지: 20-CLCC	재고 있음6,750
2N6988 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4PNP 60V 0.6A 14FLATPACK 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음7,740
2N6989 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: TO-116	재고 있음5,850
2N6989U TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-CLCC 공급자 장치 패키지: 20-CLCC	재고 있음7,380
2N6989UTX TT Electronics/Optek Technology	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT 제조업체: TT Electronics/Optek Technology 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-CLCC 공급자 장치 패키지: 20-CLCC	재고 있음3,870
2N6990 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-Flatpack 공급자 장치 패키지: 14-Flatpack	재고 있음3,672
2SA1618-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음3,024
2SA1618-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음4,770
2SA1708T-YMH-AN ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS BIPO NMP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN, PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: 3-NMP	재고 있음2,520
2SA1873-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음7,074
2SA1873-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2PNP 50V 0.15A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음3,726
2SC4207-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음21,654
2SC4207-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음42,120
2SC4207-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SMV	재고 있음26,178
2SC4944-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 2NPN 50V 0.15A USV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 공급자 장치 패키지: USV	재고 있음2,196

2N4854

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,644

2N4854U

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-CLCC
공급자 장치 패키지: 6-CLCC

재고 있음7,092

2N4854UTX

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-CLCC
공급자 장치 패키지: 6-CLCC

재고 있음4,950

2N4937

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,586

2N4938

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,860

2N4939

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음6,336

2N5793

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,294

2N5794

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 600MA 40V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음7,488

2N5794U

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 40V 0.6A 6CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-CLCC
공급자 장치 패키지: 6-CLCC

재고 있음6,768

2N5795

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A TO-78

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,086

2N5796

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 600MA 60V TO78-6

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음2,592

2N5796U

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 60V 0.6A 6CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 600mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-CLCC
공급자 장치 패키지: 6-CLCC

재고 있음4,032

2N5912

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음4,158

2N6502

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANSISTOR DUAL TO78

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음8,982

2N6987

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: TO-116

재고 있음2,232

2N6987U

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A 20CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-CLCC
공급자 장치 패키지: 20-CLCC

재고 있음6,750

2N6988

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4PNP 60V 0.6A 14FLATPACK

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 PNP (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음7,740

2N6989

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A TO116

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: TO-116

재고 있음5,850

2N6989U

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-CLCC
공급자 장치 패키지: 20-CLCC

재고 있음7,380

2N6989UTX

TT Electronics/Optek Technology

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A SMT

제조업체: TT Electronics/Optek Technology
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-CLCC
공급자 장치 패키지: 20-CLCC

재고 있음3,870

2N6990

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 14-Flatpack
공급자 장치 패키지: 14-Flatpack

재고 있음3,672

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음3,024

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음4,770

2SA1708T-YMH-AN

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS BIPO NMP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN, PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: 3-NMP

재고 있음2,520

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

재고 있음7,074

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2PNP 50V 0.15A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

재고 있음3,726

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual)
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음21,654

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음42,120

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A SMV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753
공급자 장치 패키지: SMV

재고 있음26,178

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 2NPN 50V 0.15A USV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
공급자 장치 패키지: USV

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