트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SA1020-Y,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 2A 50V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음3,312
2SA10220BL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 0.03A MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음2,484
2SA10220CL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 0.03A MINI-3P 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음3,690
2SA10340SL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 35V 0.05A MINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음27,420
2SA10350SL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 55V 0.05A MINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음6,336
2SA1036KT146P Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.5A SMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음8,766
2SA1036KT146Q Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.5A 3-SMT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음7,704
2SA1036KT146R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 32V 0.5A SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음6,210
2SA1036-P-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 3V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,698
2SA1037AKT146Q Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음8,154
2SA1037AKT146R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음102,354
2SA1037AKT146S Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SMT3 TR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음7,002
2SA1037-S-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,668
2SA1038STPS Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.05A SPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음3,852
2SA1048-Y-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,860
2SA1083-D-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: 90MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,248
2SA1083-E-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: 90MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,824
2SA10960Q Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음3,654
2SA10960R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 2A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음5,256
2SA1096AQ Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 2A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음5,796
2SA11100Q Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.5A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음4,194
2SA11230RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.05A TO-92 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,176
2SA11240R Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 0.05A TO-92L 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 2mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92L-A1	재고 있음3,654
2SA11270RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 55V 0.1A TO-92 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음5,184
2SA1162-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음45,096
2SA1162GT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음7,992
2SA1162-O-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,912
2SA1162-O,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음29,946
2SA1162S-GR,LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음6,588
2SA1162S-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음5,112

2SA1020-Y,T6WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 2A 50V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음3,312

2SA10220BL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 0.03A MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음2,484

2SA10220CL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 0.03A MINI-3P

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음3,690

2SA10340SL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 35V 0.05A MINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 35V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음27,420

2SA10350SL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 55V 0.05A MINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 260 @ 2mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음6,336

2SA1036KT146P

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.5A SMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음8,766

2SA1036KT146Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.5A 3-SMT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음7,704

2SA1036KT146R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 32V 0.5A SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음6,210

2SA1036-P-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 32V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 3V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,698

2SA1037AKT146Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음8,154

2SA1037AKT146R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음102,354

2SA1037AKT146S

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SMT3 TR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음7,002

2SA1037-S-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,668

2SA1038STPS

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.05A SPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음3,852

2SA1048-Y-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,860

2SA1083-D-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 12V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: 90MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,248

2SA1083-E-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 12V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: 90MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,824

2SA10960Q

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음3,654

2SA10960R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음5,256

2SA1096AQ

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 2A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음5,796

2SA11100Q

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.5A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 90 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음4,194

2SA11230RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.05A TO-92

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 10mA, 5V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,176

2SA11240R

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 0.05A TO-92L

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 130 @ 2mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92L-A1

재고 있음3,654

2SA11270RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 55V 0.1A TO-92

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음5,184

2SA1162-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음45,096

2SA1162GT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SC-59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음7,992

2SA1162-O-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,912

2SA1162-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음29,946

2SA1162S-GR,LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음6,588

2SA1162S-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음5,112

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