트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SA1162S-Y, LF(D Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음4,104
2SA1162-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음3,114
2SA1162YT1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A SC-59 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SC-59	재고 있음7,866
2SA1163-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음42,510
2SA1163-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.1A SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음42,606
2SA1179N6-CPA-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
2SA1179N6-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.15A CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음4,878
2SA1182-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR VCEO-30V IC-0.5A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,096
2SA1182-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음7,794
2SA1186 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음2,448
2SA1201-O-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음3,168
2SA1201-Y-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PREBIAS PNP 120V SOT89 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음3,942
2SA1213-O-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음7,794
2SA1213-Y-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PREBIAS PNP 50V SOT89 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,716
2SA1215 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 160V 15A MT-200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음3,024
2SA1216 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 180V 17A MT-200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음8,496
2SA1225-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 160V 1.5A PW-MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음8,586
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 170MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음7,668
2SA1244-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음6,840
2SA1294 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 230V 15A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 130W 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음12,414
2SA1295 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 230V 17A MT200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음4,086
2SA1298-O-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음3,852
2SA1298-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음3,492
2SA1303 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 14A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 125W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음6,930
2SA1309A0A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음7,164
2SA1309AQA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음8,172
2SA1309ARA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,984
2SA1309ASA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,822
2SA1312-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음6,228
2SA1312GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음4,302

2SA1162S-Y, LF(D

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음4,104

2SA1162-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음3,114

2SA1162YT1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A SC-59

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SC-59

재고 있음7,866

2SA1163-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음42,510

2SA1163-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음42,606

2SA1179N6-CPA-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

2SA1179N6-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.15A CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음4,878

2SA1182-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR VCEO-30V IC-0.5A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,096

2SA1182-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음7,794

2SA1186

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 10A MT-100 TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음2,448

2SA1201-O-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음3,168

2SA1201-Y-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PREBIAS PNP 120V SOT89

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음3,942

2SA1213-O-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음7,794

2SA1213-Y-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT89

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,716

2SA1215

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 160V 15A MT-200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음3,024

2SA1216

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 180V 17A MT-200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음8,496

2SA1225-Y(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 160V 1.5A PW-MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음8,586

2SA1242-Y(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 5A PW-MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 170MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음7,668

2SA1244-Y(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음6,840

2SA1294

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 15A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 130W
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음12,414

2SA1295

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 230V 17A MT200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음4,086

2SA1298-O-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음3,852

2SA1298-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 0.8A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음3,492

2SA1303

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 14A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 125W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음6,930

2SA1309A0A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음7,164

2SA1309AQA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음8,172

2SA1309ARA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,984

2SA1309ASA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,822

2SA1312-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음6,228

2SA1312GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음4,302

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