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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
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수량
2SAR533PFRAT100
2SAR533PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 3V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음2,808
2SAR533PT100
2SAR533PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음4,176
2SAR542F3TR
2SAR542F3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A HUML2020L3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 2.1W
  • 주파수-전환: 240MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: HUML2020L3
재고 있음2,178
2SAR542PFRAT100
2SAR542PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 240MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음6,480
2SAR542PT100
2SAR542PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 2A MPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 430MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음6,804
2SAR543DTL
2SAR543DTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 4A CPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: CPT3
재고 있음3,942
2SAR543RTL
2SAR543RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A TSMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-96
  • 공급자 장치 패키지: TSMT3
재고 있음24,870
2SAR544P5T100
2SAR544P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP -80V -2.5A MEDIUM POWER TRAN

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음12,414
2SAR544PFRAT100
2SAR544PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음8,784
2SAR544PT100
2SAR544PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 2.5A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음4,194
2SAR544RTL
2SAR544RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 2.5A TSMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-96
  • 공급자 장치 패키지: TSMT3
재고 있음7,794
2SAR552P5T100
2SAR552P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP -30V -3A MEDIUM POWER TRANSI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 330MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음6,354
2SAR552PFRAT100
2SAR552PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 330MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음8,676
2SAR552PT100
2SAR552PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A MPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 330MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음7,848
2SAR553P5T100
2SAR553P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP -50V -2A MEDIUM POWER TRANSI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음4,968
2SAR553PFRAT100
2SAR553PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음2,304
2SAR553PT100
2SAR553PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음5,094
2SAR553RTL
2SAR553RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 2A TSMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 320MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-96
  • 공급자 장치 패키지: TSMT3
재고 있음6,714
2SAR554P5T100
2SAR554P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP -50V -2A MEDIUM POWER TRANSI

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 340MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음4,770
2SAR554PFRAT100
2SAR554PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 500mW
  • 주파수-전환: 340MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음22,632
2SAR554PT100
2SAR554PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1.5A MPT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 340MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음6,084
2SAR554RTL
2SAR554RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1.5A TSMT3

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 340MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-96
  • 공급자 장치 패키지: TSMT3
재고 있음3,348
2SAR562F3TR
2SAR562F3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP DRIVER TRANSISTOR

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 150mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 180MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: HUML2020L3
재고 있음3,978
2SAR572D3TL1
2SAR572D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
재고 있음6,102
2SAR572DGTL
2SAR572DGTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 5A CPT

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: CPT3
재고 있음3,870
2SAR573D3TL1
2SAR573D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 300MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
재고 있음2,106
2SAR574D3TL1
2SAR574D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 280MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
재고 있음6,048
2SAR586D3TL1
2SAR586D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V
  • 전력-최대: 10W
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: TO-252
재고 있음5,364
2SB06210RA
2SB06210RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 25V 1A TO-92

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
  • 전력-최대: 750mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92B-B1
재고 있음8,064
2SB0621ARA
2SB0621ARA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 1A TO-92

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: PNP
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 10V
  • 전력-최대: 750mW
  • 주파수-전환: 200MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • 공급자 장치 패키지: TO-92B-B1
재고 있음7,452