트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
PMBF4393,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1,352
PMBFJ108,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 8 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
PMBFJ109,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 12 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
PMBFJ110,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 18 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음49,990
PMBFJ111,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음48,074
PMBFJ112,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음2
PMBFJ113,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음18
PMBFJ174,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 85 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음85,079
PMBFJ175,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 125 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음1
PMBFJ176,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 250 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음109
PMBFJ177,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms 전력-최대: 300mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음119,293
PMBFJ308,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음13,062
PMBFJ309,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음9,592
PMBFJ310,215 NXP	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 250MW SOT23 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 250mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)	재고 있음2,058
PMBFJ620,115 NXP	트랜지스터-JFET JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 190mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지: 6-TSSOP	재고 있음12,304
PN4091 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,400
PN4091_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 30 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,642
PN4092 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,484
PN4092_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,688
PN4092_D27Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,916
PN4092_D74Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,582
PN4092_J18Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 50 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,016
PN4093 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.625W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 80 Ohms 전력-최대: 625mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,268
PN4117 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,388
PN4117A ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,896
PN4117A_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,110
PN4117A_J61Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,024
PN4117_D26Z ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,814
PN4118 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,074
PN4119 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 0.35W TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,526

PMBF4393,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1,352

PMBFJ108,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 8 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

PMBFJ109,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 6V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 12 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

PMBFJ110,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 4V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 30pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 18 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음49,990

PMBFJ111,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 10V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음48,074

PMBFJ112,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음2

PMBFJ113,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음18

PMBFJ174,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 85 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음85,079

PMBFJ175,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 125 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음1

PMBFJ176,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 250 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음109

PMBFJ177,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.3W SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
전력-최대: 300mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음119,293

PMBFJ308,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음13,062

PMBFJ309,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음9,592

PMBFJ310,215

NXP

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 250MW SOT23

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 250mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23 (TO-236AB)

재고 있음2,058

PMBFJ620,115

NXP

트랜지스터-JFET

JFET 2N-CH 25V 0.19W 6TSSOP

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 190mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지: 6-TSSOP

재고 있음12,304

PN4091

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,400

PN4091_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 30 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,642

PN4092

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,484

PN4092_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,688

PN4092_D27Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,916

PN4092_D74Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,582

PN4092_J18Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 50 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,016

PN4093

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.625W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 80 Ohms
전력-최대: 625mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,268

PN4117

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,388

PN4117A

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,896

PN4117A_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,110

PN4117A_J61Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,024

PN4117_D26Z

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 600mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,814

PN4118

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,074

PN4119

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 0.35W TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,526

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