트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SST174-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 0V 저항-RDS (켜짐): 85 Ohms 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,452
SST175-T1-E3 Vishay Dale	트랜지스터-JFET MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 제조업체: Vishay Dale 시리즈: - FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)	재고 있음2,682
SST201-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음12,832
SST204-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,766
SST204-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,210
SST4118-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 70V 80UA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,688
SST4119-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음3,420
SST4416-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,292
SST4416-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,896
SST5461-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 55V 2MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,318
SST5462-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 55V 4MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음8,926
SST5484-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,050
SST5484-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,470
SST5485-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음29,384
SST5485-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,516
SST5486-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,508
SST5486-T1-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 350mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음4,950
TF202THC-3-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음2,592
TF202THC-3-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): - 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,844
TF202THC-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음147,124
TF202THC-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음81,614
TF202THC-L5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음4,158
TF208TH-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음25,179
TF208TH-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음4,518
TF252-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음163,041
TF252-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음2,412
TF252TH-4A-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: VTFP	재고 있음157,398
TF252TH-4-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 100MW VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음20,095
TF252TH-5-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 0.1W 3VTFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-VTFP	재고 있음206
TF256-3-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 1MA 30MW USFP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대: 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 30mW 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 3-USFP	재고 있음6,300

SST174-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 20MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 5V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 20pF @ 0V
저항-RDS (켜짐): 85 Ohms
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,452

SST175-T1-E3

Vishay Dale

트랜지스터-JFET

MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3

제조업체: Vishay Dale
시리즈: -
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236 (SOT-23)

재고 있음2,682

SST201-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음12,832

SST204-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V .7MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,766

SST204-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,210

SST4118-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 70V 80UA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,688

SST4119-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 70V 200UA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 200µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음3,420

SST4416-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,292

SST4416-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 36V 5MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.2pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,896

SST5461-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 55V 2MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,318

SST5462-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 55V 4MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.8V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음8,926

SST5484-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 1MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,050

SST5484-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 1MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 300mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,470

SST5485-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음29,384

SST5485-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 4MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,516

SST5486-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 8MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,508

SST5486-T1-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 35V 8MA SOT-23

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 350mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음4,950

TF202THC-3-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음2,592

TF202THC-3-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): -
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,844

TF202THC-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음147,124

TF202THC-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음81,614

TF202THC-L5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 200mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.5pF @ 5V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음4,158

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음25,179

TF208TH-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음4,518

TF252-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음163,041

TF252-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음2,412

TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: VTFP

재고 있음157,398

TF252TH-4-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 100MW VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음20,095

TF252TH-5-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 0.1W 3VTFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-VTFP

재고 있음206

TF256-3-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 1MA 30MW USFP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 2V
전류 드레인 (Id)-최대: 1mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 100mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3.1pF @ 2V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 30mW
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 3-USFP

재고 있음6,300

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