트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
U431 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-78 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-78-6	재고 있음3,324
U440 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,380
U440-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET DUAL P-CH 25V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,120
U441 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET 2N-CH 25V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,996
U441-E3 Vishay Siliconix	트랜지스터-JFET JFET 2N-CH 25V TO-71 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: - FET 유형: 2 N-Channel (Dual) 전압-항복 (V (BR) GSS): 25V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 500mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-71-6 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,406
2N2647 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 18mA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음6,552
2N4851 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 3V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 2mA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음3,960
2N4852 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 5V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 4mA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음4,716
2N4853 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 6mA 전류-피크: 400nA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음6,228
2N4948 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): - 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 2mA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음6,948
2N4949 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): - 전압-출력: 3V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 2mA 전류-피크: 1µA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음7,326
2N5431 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THROUGH-HOLE UJT 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: - 전력 손실 (최대): - 전압-출력: 1V 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): 2mA 전류-피크: 400nA 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can	재고 있음3,562
2N6027 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음2,934
2N6027G ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음7,236
2N6027RL1 ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음5,022
2N6027RL1G ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음6,066
2N6027RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음8,208
2N6027RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음8,262
2N6028 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음17,040
2N6028G ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음4,662
2N6028RLRA ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음2,952
2N6028RLRAG ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음7,416
2N6028RLRMG ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음3,834
2N6028RLRP ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음6,228
2N6028RLRPG ON Semiconductor	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 300mW 전압-출력: 11V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)	재고 있음3,060
CMPP6027R BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 167mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,732
CMPP6027R TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 167mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 1.6V 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 50µA 전류-피크: 2µA 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,948
CMPP6027 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 전압: - 전력 손실 (최대): - 전압-출력: - 전압-오프셋 (Vt): - 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): - 현재-계곡 (Iv): - 전류-피크: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,294
CMPP6028R BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 167mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,724
CMPP6028R TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction PROGRAMMABLE UJT SOT-23 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 전압: 40V 전력 손실 (최대): 167mW 전압-출력: 6V 전압-오프셋 (Vt): 600mV 전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA 현재-계곡 (Iv): 25µA 전류-피크: 150nA 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음4,536

U431

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-78

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-78-6 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-78-6

재고 있음3,324

U440

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,380

U440-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET DUAL P-CH 25V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,120

U441

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET 2N-CH 25V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,996

U441-E3

Vishay Siliconix

트랜지스터-JFET

JFET 2N-CH 25V TO-71

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: -
FET 유형: 2 N-Channel (Dual)
전압-항복 (V (BR) GSS): 25V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 6mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 500mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-71-6
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,406

2N2647

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 18mA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음6,552

2N4851

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 3V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 2mA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음3,960

2N4852

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 5V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 4mA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음4,716

2N4853

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 6mA
전류-피크: 400nA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음6,228

2N4948

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): -
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 2mA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음6,948

2N4949

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): -
전압-출력: 3V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 2mA
전류-피크: 1µA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음7,326

2N5431

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THROUGH-HOLE UJT

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: -
전력 손실 (최대): -
전압-출력: 1V
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): 2mA
전류-피크: 400nA
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

재고 있음3,562

2N6027

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음2,934

2N6027G

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

TRANS PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음7,236

2N6027RL1

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음5,022

2N6027RL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음6,066

2N6027RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음8,208

2N6027RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음8,262

2N6028

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT 40V TO226-3

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음17,040

2N6028G

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음4,662

2N6028RLRA

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음2,952

2N6028RLRAG

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음7,416

2N6028RLRMG

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음3,834

2N6028RLRP

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음6,228

2N6028RLRPG

ON Semiconductor

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

THYRISTOR PROG UNIJUNCT 40V TO92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 300mW
전압-출력: 11V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

재고 있음3,060

CMPP6027R BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 167mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,732

CMPP6027R TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 167mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 1.6V
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 50µA
전류-피크: 2µA
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,948

CMPP6027 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
전압: -
전력 손실 (최대): -
전압-출력: -
전압-오프셋 (Vt): -
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): -
현재-계곡 (Iv): -
전류-피크: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,294

CMPP6028R BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 167mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,724

CMPP6028R TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-프로그래밍 가능한 Unijunction

PROGRAMMABLE UJT SOT-23

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
전압: 40V
전력 손실 (최대): 167mW
전압-출력: 6V
전압-오프셋 (Vt): 600mV
전류-게이트 대 양극 누설 (Igao): 10nA
현재-계곡 (Iv): 25µA
전류-피크: 150nA
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음4,536

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