트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC2655-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 50V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음5,526
2SC2655-Y,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 50V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음7,632
2SC2668-O-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 550MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,322
2SC2668-R-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 550MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,834
2SC2668-Y-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 550MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,430
2SC2705-O(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: LSTM	재고 있음2,520
2SC2705-O(TPE6,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: LSTM	재고 있음7,920
2SC2705-Y(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.05A TO-92 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: LSTM	재고 있음8,010
2SC2712-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음2,538
2SC2712-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음281,592
2SC2712-OTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음6,174
2SC2712-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음84,600
2SC2713-BL,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음7,524
2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음74,946
2SC2812N6-CPA-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음4,176
2SC2812N6-TB-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A CP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: 3-CP	재고 있음5,652
2SC2837 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 10A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3V, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 70MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음19,536
2SC2859-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음7,992
2SC2859-GR-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음2,502
2SC2859-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음6,030
2SC2859-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,632
2SC2859-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음5,598
2SC2881-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음4,356
2SC2883-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89	재고 있음5,076
2SC2921 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 15A MT200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음6,672
2SC2922 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 17A MT-200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8V, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음8,082
2SC29250SA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.7A TO-92 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 150mA, 10V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-B1	재고 있음8,244
2SC2983-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음8,496
2SC2983-Y-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 160V 1.5A DPAK 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음6,804
2SC2988 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 16V 0.5A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 13.5V 전력-최대: 5W 주파수-전환: 1GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음6,642

2SC2655-Y(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 50V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음5,526

2SC2655-Y,WNLF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 50V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음7,632

2SC2668-O-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 550MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,322

2SC2668-R-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 550MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,834

2SC2668-Y-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 500nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 550MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,430

2SC2705-O(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: LSTM

재고 있음2,520

2SC2705-O(TPE6,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92MOD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: LSTM

재고 있음7,920

2SC2705-Y(TE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.05A TO-92

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: LSTM

재고 있음8,010

2SC2712-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN 50V 150MA S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음2,538

2SC2712-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음281,592

2SC2712-OTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음6,174

2SC2712-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음84,600

2SC2713-BL,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음7,524

2SC2713-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음74,946

2SC2812N6-CPA-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음4,176

2SC2812N6-TB-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A CP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 135 @ 1mA, 6V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: 3-CP

재고 있음5,652

2SC2837

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 10A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3V, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 70MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음19,536

2SC2859-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음7,992

2SC2859-GR-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음2,502

2SC2859-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음6,030

2SC2859-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,632

2SC2859-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음5,598

2SC2881-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PREBIAS NPN 120V SOT89

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음4,356

2SC2883-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89

재고 있음5,076

2SC2921

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 15A MT200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음6,672

2SC2922

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 17A MT-200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 800mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 8V, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음8,082

2SC29250SA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.7A TO-92

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 150mA, 10V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-B1

재고 있음8,244

2SC2983-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음8,496

2SC2983-Y-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 160V 1.5A DPAK

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음6,804

2SC2988

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 16V 0.5A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 16V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 13.5V
전력-최대: 5W
주파수-전환: 1GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음6,642

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