트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC3063 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.1A TO-126 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 50V 전력-최대: 1.2W 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-126B-A1	재고 있음6,876
2SC3074-O(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 5A 2-7B1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음7,866
2SC3074-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음8,568
2SC31300QL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 0.05A MINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 5mA, 4V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 2.5GHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: Mini3-G1	재고 있음6,480
2SC3138-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 0.05A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음6,822
2SC3225,T6ALPSF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 40V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 300mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 400mA, 1V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 220MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음8,478
2SC3263 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 230V 15A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 4V 전력-최대: 130W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음14,052
2SC3264 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 230V 17A MT200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 17A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음5,922
2SC3265-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음5,886
2SC3265-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음7,128
2SC3279-L-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 1V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음4,428
2SC3279-M-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음2,160
2SC3279-N-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음2,250
2SC3279-P-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음6,372
2SC3284 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 14A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V 전력-최대: 125W 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,712
2SC3303-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TO-251	재고 있음7,272
2SC3303-O-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TO-251	재고 있음3,114
2SC3303-Y-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 5A DPAK 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: D-Pak	재고 있음7,344
2SC3311A0A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음5,004
2SC3311AQA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음8,478
2SC3311ARA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음3,400
2SC3311ASA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음4,338
2SC33120RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음42,996
2SC3324-BL(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음3,384
2SC3324GRTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음6,354
2SC3325-O(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음4,824
2SC3325-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: S-Mini	재고 있음49,374
2SC3326-A,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음982,542
2SC3326-B,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: TO-236	재고 있음3,078
2SC3328-O,T6KEHF(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 80V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: LSTM	재고 있음2,664

2SC3063

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.1A TO-126

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 50V
전력-최대: 1.2W
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-126B-A1

재고 있음6,876

2SC3074-O(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 5A 2-7B1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음7,866

2SC3074-Y(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음8,568

2SC31300QL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 0.05A MINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 5mA, 4V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 2.5GHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: Mini3-G1

재고 있음6,480

2SC3138-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 0.05A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 3V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음6,822

2SC3225,T6ALPSF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 40V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 300mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 400mA, 1V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 220MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음8,478

2SC3263

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 15A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 4V
전력-최대: 130W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음14,052

2SC3264

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 17A MT200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 17A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음5,922

2SC3265-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음5,886

2SC3265-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 25V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음7,128

2SC3279-L-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 1V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음4,428

2SC3279-M-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 1V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음2,160

2SC3279-N-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 1V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음2,250

2SC3279-P-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 500mA, 1V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음6,372

2SC3284

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 14A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 5A, 4V
전력-최대: 125W
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,712

2SC3303-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TO-251

재고 있음7,272

2SC3303-O-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TO-251

재고 있음3,114

2SC3303-Y-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 5A DPAK

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 1A, 1V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: D-Pak

재고 있음7,344

2SC3311A0A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음5,004

2SC3311AQA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음8,478

2SC3311ARA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음3,400

2SC3311ASA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 290 @ 2mA, 10V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음4,338

2SC33120RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 55V 0.1A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 55V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음42,996

2SC3324-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음3,384

2SC3324GRTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 0.1A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음6,354

2SC3325-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음4,824

2SC3325-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.5A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: S-Mini

재고 있음49,374

2SC3326-A,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음982,542

2SC3326-B,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: TO-236

재고 있음3,078

2SC3328-O,T6KEHF(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 80V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: LSTM

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