트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SC59540Q Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음3,672
2SC5964-S-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음4,374
2SC5964-S-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음6,840
2SC5964-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A SOT89-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음48,402
2SC5964-TD-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 3.5W 주파수-전환: 380MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음14,562
2SC59930P Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음6,714
2SC59930Q Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음5,886
2SC5994-TD-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 2A SOT89-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1.3W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: PCP	재고 있음20,442
2SC6010(T2MITUM,FM Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 600V SC71 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: MSTM	재고 있음2,088
2SC6011 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 15A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음13,890
2SC6011A Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 230V 15A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음21,756
2SC6017-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 10A TP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 950mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: TP	재고 있음14,088
2SC6017-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 10A TP-FA 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 950mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음91,230
2SC6017-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 10A 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V 전력-최대: 950mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: 2-TP-FA	재고 있음7,416
2SC6026CTGRTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음3,834
2SC6026CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883 공급자 장치 패키지: CST3	재고 있음6,390
2SC6026MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VESM	재고 있음144,294
2SC6026MFV-Y,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,634
2SC603600L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1	재고 있음7,326
2SC6036G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 100mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2	재고 있음101,028
2SC6037J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음55,356
2SC6040,T2Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 800V SC71 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: MSTM	재고 있음7,362
2SC6040(TPF2,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 800V SC71 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: MSTM	재고 있음6,444
2SC6042,T2HOSH1Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 375V SC71 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: MSTM	재고 있음6,534
2SC6042,T2WNLQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 1A 375V SC71 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-71 공급자 장치 패키지: MSTM	재고 있음7,830
2SC6043 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 2A MP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: 3-MP	재고 있음4,086
2SC6043-AE ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 2A MP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 420MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: 3-MP	재고 있음3,618
2SC6054G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음2,448
2SC6054J0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음26,004
2SC6076(TE16L1,NV) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A PW MOLD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PW-MOLD	재고 있음3,924

2SC59540Q

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 20mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음3,672

2SC5964-S-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음4,374

2SC5964-S-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음6,840

2SC5964-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A SOT89-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음48,402

2SC5964-TD-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 3.5W
주파수-전환: 380MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음14,562

2SC59930P

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음6,714

2SC59930Q

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 180V 1.5A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 180V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음5,886

2SC5994-TD-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 2A SOT89-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1.3W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: PCP

재고 있음20,442

2SC6010(T2MITUM,FM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 600V SC71

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 75mA, 600mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: MSTM

재고 있음2,088

2SC6011

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 15A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음13,890

2SC6011A

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 230V 15A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 230V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음21,756

2SC6017-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 10A TP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 950mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: TP

재고 있음14,088

2SC6017-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 10A TP-FA

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 950mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음91,230

2SC6017-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 10A

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V
전력-최대: 950mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: 2-TP-FA

재고 있음7,416

2SC6026CTGRTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음3,834

2SC6026CT-Y(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883
공급자 장치 패키지: CST3

재고 있음6,390

2SC6026MFVGR,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VESM

재고 있음144,294

2SC6026MFV-Y,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,634

2SC603600L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F1

재고 있음7,326

2SC6036G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 100mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: SSSMini3-F2

재고 있음101,028

2SC6037J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 0.5A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음55,356

2SC6040,T2Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 800V SC71

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: MSTM

재고 있음7,362

2SC6040(TPF2,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 800V SC71

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 800V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: MSTM

재고 있음6,444

2SC6042,T2HOSH1Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 375V SC71

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: MSTM

재고 있음6,534

2SC6042,T2WNLQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 1A 375V SC71

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-71
공급자 장치 패키지: MSTM

재고 있음7,830

2SC6043

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 2A MP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: 3-MP

재고 있음4,086

2SC6043-AE

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 2A MP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 420MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: 3-MP

재고 있음3,618

2SC6054G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음2,448

2SC6054J0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음26,004

2SC6076(TE16L1,NV)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A PW MOLD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PW-MOLD

재고 있음3,924

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