트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SCR523V1T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.1A VML 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,372
2SCR533P5T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음3,078
2SCR533PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음7,686
2SCR533PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음12,372
2SCR542F3TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 3.0A 30V MIDDLE POWER TRANSI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: HUML2020L3	재고 있음25,194
2SCR542PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음6,912
2SCR542PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 5A MPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음5,346
2SCR543DTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 4A CPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음5,634
2SCR543RTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 3A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음6,642
2SCR544P5T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 80V 2.5A MEDIUM POWER TRANSI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음12,222
2SCR544PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음2,700
2SCR544PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음21,576
2SCR544RTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음7,758
2SCR552P5T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 30V 3A MEDIUM POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음343,794
2SCR552PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,028
2SCR552PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 3A MPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,244
2SCR553P5T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 50V 2A MEDIUM POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,424
2SCR553PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음22,320
2SCR553PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음21,912
2SCR553RTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음7,164
2SCR554P5T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음4,464
2SCR554PFRAT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음23,520
2SCR554PT100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음129,948
2SCR554RTL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음6,282
2SCR562F3TR Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN DRIVER TRANSISTOR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 270MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: HUML2020L3	재고 있음2,304
2SCR572D3FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 2SCR572D3FRA IS A POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음6,264
2SCR572D3TL1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음4,680
2SCR573D3FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 2SCR573D3FRA IS A POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음5,166
2SCR573D3TL1 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음8,784
2SCR574D3FRATL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 2SCR574D3FRA IS A POWER TRANSIST 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V 전력-최대: 10W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: TO-252	재고 있음3,418

2SCR523V1T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.1A VML

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,372

2SCR533P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 50V 3A MEDIUM POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음3,078

2SCR533PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음7,686

2SCR533PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음12,372

2SCR542F3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 3.0A 30V MIDDLE POWER TRANSI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: HUML2020L3

재고 있음25,194

2SCR542PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음6,912

2SCR542PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 5A MPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음5,346

2SCR543DTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 4A CPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음5,634

2SCR543RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 3A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음6,642

2SCR544P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 80V 2.5A MEDIUM POWER TRANSI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음12,222

2SCR544PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음2,700

2SCR544PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 2.5A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음21,576

2SCR544RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음7,758

2SCR552P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 30V 3A MEDIUM POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음343,794

2SCR552PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,028

2SCR552PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 3A MPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,244

2SCR553P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 50V 2A MEDIUM POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,424

2SCR553PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음22,320

2SCR553PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음21,912

2SCR553RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 35mA, 700mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음7,164

2SCR554P5T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN 80V 1.5A MEDIUM POWER TRANSI

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음4,464

2SCR554PFRAT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음23,520

2SCR554PT100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1.5A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음129,948

2SCR554RTL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 1.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음6,282

2SCR562F3TR

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN DRIVER TRANSISTOR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 220mV @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 270MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: HUML2020L3

재고 있음2,304

2SCR572D3FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

2SCR572D3FRA IS A POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음6,264

2SCR572D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음4,680

2SCR573D3FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

2SCR573D3FRA IS A POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음5,166

2SCR573D3TL1

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음8,784

2SCR574D3FRATL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

2SCR574D3FRA IS A POWER TRANSIST

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V
전력-최대: 10W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: TO-252

재고 있음3,418

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message