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트랜지스터

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부품 번호
설명
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2SD2257(CANO,Q,M)
2SD2257(CANO,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음6,426
2SD2257,KEHINQ(J
2SD2257,KEHINQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음3,132
2SD2257,NIKKIQ(J
2SD2257,NIKKIQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음7,632
2SD2257,Q(J
2SD2257,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음4,266
2SD2257(Q,M)
2SD2257(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음3,186
2SD22580RA
2SD22580RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-SIP
  • 공급자 장치 패키지: MT-2-A1
재고 있음4,194
2SD225900A
2SD225900A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.7A MT-2

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 10µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 55MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-SIP
  • 공급자 장치 패키지: MT-2-A1
재고 있음20,682
2SD2264TV2R
2SD2264TV2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3A ATV

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 290MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-SIP
  • 공급자 장치 패키지: ATV
재고 있음8,622
2SD2318TLU
2SD2318TLU

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT-428

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V
  • 전력-최대: 15W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: CPT3
재고 있음3,528
2SD2318TLV
2SD2318TLV

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT-428

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V
  • 전력-최대: 15W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 공급자 장치 패키지: CPT3
재고 있음6,408
2SD23210RA
2SD23210RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A NS-B1

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 400mW
  • 주파수-전환: 150MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-SSIP
  • 공급자 장치 패키지: NS-B1
재고 있음6,264
2SD2345GSL
2SD2345GSL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3
재고 있음3,490
2SD2345JSL
2SD2345JSL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1μA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
  • 전력-최대: 125mW
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
  • 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1
재고 있음5,886
2SD2351T106V
2SD2351T106V

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음45,450
2SD2351T106W
2SD2351T106W

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
  • 전력-최대: 200mW
  • 주파수-전환: 250MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
  • 공급자 장치 패키지: UMT3
재고 있음29,304
2SD235800A
2SD235800A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 1A MT-2

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 20mA, 500mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 120MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-SIP
  • 공급자 장치 패키지: MT-2-A1
재고 있음18,876
2SD2374AP
2SD2374AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A TO-220D

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 300µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 30MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
재고 있음5,796
2SD23750P
2SD23750P

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220D

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 50MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
재고 있음3,312
2SD2389
2SD2389

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO3P

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
  • 전력-최대: 80W
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음9,552
2SD2390
2SD2390

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
  • 전력-최대: 100W
  • 주파수-전환: 55MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음8,586
2SD2391T100Q
2SD2391T100Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A SOT-89

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 210MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MPT3
재고 있음8,280
2SD2396K
2SD2396K

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO220

  • 제조업체: Rohm Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 40MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220FN
재고 있음2,970
2SD2401
2SD2401

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 12A MT200

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
  • 전력-최대: 150W
  • 주파수-전환: 55MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 3-ESIP
  • 공급자 장치 패키지: MT-200
재고 있음8,208
2SD2406-Y(F)
2SD2406-Y(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO220NIS

  • 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
  • 전력-최대: 25W
  • 주파수-전환: 8MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
재고 있음5,868
2SD241300L
2SD241300L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A MINI PWR

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 40MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1
재고 있음13,764
2SD2413G0L
2SD2413G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V
  • 전력-최대: 1W
  • 주파수-전환: 40MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-243AA
  • 공급자 장치 패키지: MiniP3-F2
재고 있음14,208
2SD2420AP
2SD2420AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220D

  • 제조업체: Panasonic Electronic Components
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V
  • 전력-최대: 2W
  • 주파수-전환: 20MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
재고 있음7,794
2SD2425-T1-AZ
2SD2425-T1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

  • 제조업체: Renesas Electronics America
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
  • 전류-수집기 차단 (최대): -
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
  • 전력-최대: -
  • 주파수-전환: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,286
2SD2438
2SD2438

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
  • 전력-최대: 75W
  • 주파수-전환: 80MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PF
재고 있음7,884
2SD2439
2SD2439

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF

  • 제조업체: Sanken
  • 시리즈: -
  • 트랜지스터 유형: NPN - Darlington
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
  • Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
  • 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
  • DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
  • 전력-최대: 80W
  • 주파수-전환: 55MHz
  • 작동 온도: 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
  • 공급자 장치 패키지: TO-3PF
재고 있음2,322