트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SD2257(CANO,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음6,426
2SD2257,KEHINQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음3,132
2SD2257,NIKKIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음7,632
2SD2257,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음4,266
2SD2257(Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 3A 100V TO220-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음3,186
2SD22580RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-2-A1	재고 있음4,194
2SD225900A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.7A MT-2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-2-A1	재고 있음20,682
2SD2264TV2R Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 3A ATV 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 290MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: ATV	재고 있음8,622
2SD2318TLU Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음3,528
2SD2318TLV Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A SOT-428 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V 전력-최대: 15W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: CPT3	재고 있음6,408
2SD23210RA Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A NS-B1 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SSIP 공급자 장치 패키지: NS-B1	재고 있음6,264
2SD2345GSL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F3	재고 있음3,490
2SD2345JSL Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 1μA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V 전력-최대: 125mW 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490 공급자 장치 패키지: SSMini3-F1	재고 있음5,886
2SD2351T106V Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음45,450
2SD2351T106W Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음29,304
2SD235800A Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 10V 1A MT-2 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 20mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 120MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-SIP 공급자 장치 패키지: MT-2-A1	재고 있음18,876
2SD2374AP Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 3A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 300µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음5,796
2SD23750P Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음3,312
2SD2389 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 8A TO3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음9,552
2SD2390 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 100W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음8,586
2SD2391T100Q Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 210MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,280
2SD2396K Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO220 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FN	재고 있음2,970
2SD2401 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 12A MT200 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 150W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 3-ESIP 공급자 장치 패키지: MT-200	재고 있음8,208
2SD2406-Y(F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO220NIS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220NIS	재고 있음5,868
2SD241300L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.1A MINI PWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1	재고 있음13,764
2SD2413G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 40MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MiniP3-F2	재고 있음14,208
2SD2420AP Panasonic Electronic Components	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220D 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 20MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1	재고 있음7,794
2SD2425-T1-AZ Renesas Electronics America	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,286
2SD2438 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V 전력-최대: 75W 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음7,884
2SD2439 Sanken	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF 제조업체: Sanken 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 55MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음2,322

2SD2257(CANO,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음6,426

2SD2257,KEHINQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음3,132

2SD2257,NIKKIQ(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음7,632

2SD2257,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음4,266

2SD2257(Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 3A 100V TO220-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음3,186

2SD22580RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 50V 1A MT-2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8000 @ 1A, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-2-A1

재고 있음4,194

2SD225900A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.7A MT-2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 700mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-2-A1

재고 있음20,682

2SD2264TV2R

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 3A ATV

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 290MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: ATV

재고 있음8,622

2SD2318TLU

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음3,528

2SD2318TLV

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A SOT-428

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 560 @ 500mA, 4V
전력-최대: 15W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: CPT3

재고 있음6,408

2SD23210RA

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A NS-B1

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SSIP
공급자 장치 패키지: NS-B1

재고 있음6,264

2SD2345GSL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F3

재고 있음3,490

2SD2345JSL

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 0.05A SSMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 600 @ 2mA, 10V
전력-최대: 125mW
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지: SSMini3-F1

재고 있음5,886

2SD2351T106V

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음45,450

2SD2351T106W

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음29,304

2SD235800A

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 10V 1A MT-2

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 10V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 150mV @ 20mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 120MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-SIP
공급자 장치 패키지: MT-2-A1

재고 있음18,876

2SD2374AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 3A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 300µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음5,796

2SD23750P

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음3,312

2SD2389

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음9,552

2SD2390

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 10A TO-3P

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 100W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음8,586

2SD2391T100Q

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 210MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,280

2SD2396K

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO220

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FN

재고 있음2,970

2SD2401

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 12A MT200

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 150W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 3-ESIP
공급자 장치 패키지: MT-200

재고 있음8,208

2SD2406-Y(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO220NIS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220NIS

재고 있음5,868

2SD241300L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A MINI PWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1

재고 있음13,764

2SD2413G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 0.1A MINIP-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 40MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MiniP3-F2

재고 있음14,208

2SD2420AP

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220D

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 20MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220D-A1

재고 있음7,794

2SD2425-T1-AZ

Renesas Electronics America

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,286

2SD2438

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO3PF

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 6A, 4V
전력-최대: 75W
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음7,884

2SD2439

Sanken

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 10A TO3PF

제조업체: Sanken
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 7mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5000 @ 7A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 55MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음2,322

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