트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SD2654TLV Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A SOT-416 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음4,788
2SD2654TLW Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A EMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지: EMT3	재고 있음7,164
2SD2656FRAT106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음8,532
2SD2656T106 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A SOT-323 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: UMT3	재고 있음27,486
2SD2657KT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음6,750
2SD2657TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음2,250
2SD2661T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 2A MPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음5,454
2SD2662T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 330MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음5,670
2SD2670TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 3A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음7,902
2SD2671TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 2A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음8,154
2SD2672TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 4A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 40mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음2,844
2SD2673TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 3A TSMT 3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음8,712
2SD2674TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음2,358
2SD2675TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TSMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-96 공급자 장치 패키지: TSMT3	재고 있음28,488
2SD2679T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 2A MPT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 280MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: MPT3	재고 있음8,730
2SD2695(T6CANO,A,F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 60V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음2,034
2SD2695(T6CANO,F,M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 60V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음4,158
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 60V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음3,636
2SD2695,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 60V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음8,028
2SD2695,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 2A 60V TO226-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지: TO-92MOD	재고 있음3,598
2SD2696T2L Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 0.4A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음8,658
2SD2700TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 2A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 360MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TUMT3	재고 있음6,588
2SD2701TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 2A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 300MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TUMT3	재고 있음27,216
2SD2702TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TUMT3	재고 있음5,184
2SD2703TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TUMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 320MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: TUMT3	재고 있음8,532
2SD2704KT146 Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V 전력-최대: 200mW 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SMT3	재고 있음228,522
2SD2705STP Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V 전력-최대: 300mW 주파수-전환: 35MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads 공급자 장치 패키지: SPT	재고 있음3,384
2SD2707T2LV Rohm Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 0.15A VMT3 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V 전력-최대: 150mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-723 공급자 장치 패키지: VMT3	재고 있음8,118
2SD468-B-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음3,402
2SD468-C-AP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-92 MOD 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 190MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음3,420

2SD2654TLV

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A SOT-416

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음4,788

2SD2654TLW

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A EMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지: EMT3

재고 있음7,164

2SD2656FRAT106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음8,532

2SD2656T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A SOT-323

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: UMT3

재고 있음27,486

2SD2657KT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음6,750

2SD2657TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A TSMT 3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음2,250

2SD2661T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 2A MPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음5,454

2SD2662T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 330MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음5,670

2SD2670TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 3A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음7,902

2SD2671TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 2A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음8,154

2SD2672TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 4A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 40mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음2,844

2SD2673TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 3A TSMT 3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음8,712

2SD2674TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 1.5A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음2,358

2SD2675TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TSMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-96
공급자 장치 패키지: TSMT3

재고 있음28,488

2SD2679T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 2A MPT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 280MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: MPT3

재고 있음8,730

2SD2695(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음2,034

2SD2695(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음4,158

2SD2695(T6CNO,A,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음3,636

2SD2695,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음8,028

2SD2695,T6F(M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 2A 60V TO226-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지: TO-92MOD

재고 있음3,598

2SD2696T2L

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 0.4A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 400mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 2mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음8,658

2SD2700TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 2A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 360MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: TUMT3

재고 있음6,588

2SD2701TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 2A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 300MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: TUMT3

재고 있음27,216

2SD2702TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 12V 1.5A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: TUMT3

재고 있음5,184

2SD2703TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TUMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 320MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: TUMT3

재고 있음8,532

2SD2704KT146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.3A SOT23-3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
전력-최대: 200mW
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SMT3

재고 있음228,522

2SD2705STP

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 0.3A 3PIN SPT

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 4ma, 2V
전력-최대: 300mW
주파수-전환: 35MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SC-72 Formed Leads
공급자 장치 패키지: SPT

재고 있음3,384

2SD2707T2LV

Rohm Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 0.15A VMT3

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 300nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 820 @ 1mA, 5V
전력-최대: 150mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOT-723
공급자 장치 패키지: VMT3

재고 있음8,118

2SD468-B-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음3,402

2SD468-C-AP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-92 MOD

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 190MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음3,420

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