트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BC559 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,310
BC559ABU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,482
BC559ATA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,888
BC559B ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,434
BC559BBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,380
BC559B_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,244
BC559BTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,250
BC559BTAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,254
BC559BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,938
BC559C,116 NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,480
BC559CBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,266
BC559CTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음57,942
BC559_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,744
BC55PA,115 Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음6,660
BC55PASX Nexperia	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 IC TRANS NPN 1A 60 SOT1061 제조업체: Nexperia USA Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V 전력-최대: 420mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020D-3	재고 있음2,952
BC560 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
BC560ABU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,832
BC560ATA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,762
BC560BBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,986
BC560BTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,906
BC560BU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,034
BC560C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,760
BC560CBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,472
BC560CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음15,778
BC560C_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,682
BC560CTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음51,678
BC560CTAR ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,986
BC560CZL1 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,074
BC560CZL1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 250MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음5,346
BC560_J35Z ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 45V 0.1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,280

BC559

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,310

BC559ABU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,482

BC559ATA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,888

BC559B

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,434

BC559BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,380

BC559B_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,244

BC559BTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,250

BC559BTAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,254

BC559BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,938

BC559C,116

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,480

BC559CBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,266

BC559CTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음57,942

BC559_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,744

BC55PA,115

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음6,660

BC55PASX

Nexperia

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

IC TRANS NPN 1A 60 SOT1061

제조업체: Nexperia USA Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
전력-최대: 420mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020D-3

재고 있음2,952

BC560

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

BC560ABU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,832

BC560ATA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,762

BC560BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,986

BC560BTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,906

BC560BU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,034

BC560C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,760

BC560CBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,472

BC560CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음15,778

BC560C_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,682

BC560CTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음51,678

BC560CTAR

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,986

BC560CZL1

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,074

BC560CZL1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 250MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음5,346

BC560_J35Z

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 45V 0.1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 100mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 45V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 15nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,280

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