트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BU406 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 7A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,758
BU406 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,768
BU406 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음29,268
BU406G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 7A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음1,939
BU406-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 7A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 4A, 10V 전력-최대: 60W 주파수-전환: 6MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,642
BU406TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음37,656
BU407 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음186
BU407 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,697
BU407HTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,718
BU407-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 7A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 4A, 10V 전력-최대: 60W 주파수-전환: 6MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,298
BU407TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,824
BU408 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 7A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 5mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,912
BU408 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,802
BU426 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 POWER TRANSISTOR NPN TO218 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 115W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: TO-218	재고 있음2,826
BU426A-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 6A 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1.25A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음3,726
BU426-S Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 375V 6A SOT-93 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1.25A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-218-3 공급자 장치 패키지: SOT-93	재고 있음5,814
BU505 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 2.5A TO220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 900mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 150µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,030
BU508A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 8A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 125W 주파수-전환: 7MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음18,425
BU508AF STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음5,868
BU508AFI STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 50W 주파수-전환: 7MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT-218-3 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음5,994
BU508AFTBTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 5A TO-3PF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-3PF	재고 있음3,096
BU508AW STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 8A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음8,784
BU806 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음83
BU806 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음174
BU806 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음67
BU807 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,516
BU807 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,048
BU807TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,128
BU808DFI STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 400µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 5V 전력-최대: 52W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT-218-3 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218	재고 있음3,978
BU810 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 700mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 75W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,058

BU406

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 7A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,758

BU406

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,768

BU406

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음29,268

BU406G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 7A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음1,939

BU406-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 7A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 4A, 10V
전력-최대: 60W
주파수-전환: 6MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,642

BU406TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음37,656

BU407

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음186

BU407

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,697

BU407HTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,718

BU407-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 7A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 4A, 10V
전력-최대: 60W
주파수-전환: 6MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,298

BU407TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,824

BU408

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 7A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 5mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,912

BU408

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,802

BU426

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

POWER TRANSISTOR NPN TO218

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 115W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: TO-218

재고 있음2,826

BU426A-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 6A

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1.25A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음3,726

BU426-S

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 375V 6A SOT-93

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 375V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 1.25A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 600mA, 5V
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-218-3
공급자 장치 패키지: SOT-93

재고 있음5,814

BU505

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 2.5A TO220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 900mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 150µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,030

BU508A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 8A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 125W
주파수-전환: 7MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음18,425

BU508AF

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음5,868

BU508AFI

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 50W
주파수-전환: 7MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT-218-3
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음5,994

BU508AFTBTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 5A TO-3PF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2.25 @ 4.5A, 5V
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-3PF

재고 있음3,096

BU508AW

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 8A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음8,784

BU806

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음83

BU806

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 200V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음174

BU806

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음67

BU807

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,516

BU807

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,048

BU807TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 150V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,128

BU808DFI

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 700V ISOWATT218

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 400µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 5A, 5V
전력-최대: 52W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT-218-3
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218

재고 있음3,978

BU810

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 400V 7A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 700mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 75W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,058

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