트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
BUH50 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 4A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,046
BUH50G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 4A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,750
BUH51 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 3A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 23MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음5,472
BUH51G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 3A TO-225 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: SWITCHMODE™ 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V 전력-최대: 50W 주파수-전환: 23MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지: TO-225AA	재고 있음3,400
BUJ100,126 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO92 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,086
BUJ100,412 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO92 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,436
BUJ100LR,126 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-92 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,874
BUJ100LR,412 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-92 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V 전력-최대: 2.1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,968
BUJ103A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,490
BUJ103AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음8,712
BUJ103AX,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220F 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 5V 전력-최대: 26W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,282
BUJ105A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,874
BUJ105AB,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A D2PAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 125W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음6,462
BUJ105AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,510
BUJ106A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 10A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,164
BUJ302A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 250mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,150
BUJ302AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 250mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음57,582
BUJ302AX,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A TO-220F 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V 전력-최대: 26W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,812
BUJ303A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음26,634
BUJ303AX,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 500V 5A TO-220F 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V 전력-최대: 32W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,750
BUJ303B,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 5A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V 전력-최대: 100W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,996
BUJ303CD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 5A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 28 @ 10mA, 3V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,970
BUJ403A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 550V 6A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,492
BUJ403A/DG,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 550V 6A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V 전력-최대: 100W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,002
BUJD103AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 4A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음2,196
BUJD105AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 8A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음5,292
BUJD203A,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 425V 4A TO220AB 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음6,102
BUJD203AD,118 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 425V 4A DPAK 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음3,654
BUJD203AX,127 WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 425V 4A TO-220F 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V 전력-최대: 26W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,830
BUK762R6-40E/GFJ NXP	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 MOSFET N-CH D2PAK 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,636

BUH50

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 4A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,046

BUH50G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 4A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 2A, 5V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,750

BUH51

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 3A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 23MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음5,472

BUH51G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 3A TO-225

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: SWITCHMODE™
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 8 @ 1A, 1V
전력-최대: 50W
주파수-전환: 23MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지: TO-225AA

재고 있음3,400

BUJ100,126

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO92

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,086

BUJ100,412

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO92

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 9 @ 750mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,436

BUJ100LR,126

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-92

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,874

BUJ100LR,412

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-92

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
전력-최대: 2.1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,968

BUJ103A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,490

BUJ103AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음8,712

BUJ103AX,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220F

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 12 @ 500mA, 5V
전력-최대: 26W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,282

BUJ105A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,874

BUJ105AB,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A D2PAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 125W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음6,462

BUJ105AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,510

BUJ106A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 10A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1.2A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,164

BUJ302A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 250mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,150

BUJ302AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 250mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음57,582

BUJ302AX,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A TO-220F

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 800mA, 3V
전력-최대: 26W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,812

BUJ303A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음26,634

BUJ303AX,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 500V 5A TO-220F

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V
전력-최대: 32W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,750

BUJ303B,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 23 @ 800mA, 3V
전력-최대: 100W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,996

BUJ303CD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 5A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 28 @ 10mA, 3V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,970

BUJ403A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 6A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,492

BUJ403A/DG,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 550V 6A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 550V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V
전력-최대: 100W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,002

BUJD103AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 4A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음2,196

BUJD105AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 8A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 13 @ 500mA, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음5,292

BUJD203A,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 425V 4A TO220AB

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음6,102

BUJD203AD,118

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 425V 4A DPAK

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 11 @ 2A, 5V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음3,654

BUJD203AX,127

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 425V 4A TO-220F

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 425V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 600mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V
전력-최대: 26W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,830

BUK762R6-40E/GFJ

NXP

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

MOSFET N-CH D2PAK

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,636

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