트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FMMT549ATC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,220
FMMT549TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음116,562
FMMT549TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,446
FMMT551TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음26,100
FMMT551TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,532
FMMT555TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음156,804
FMMT555TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 150V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,104
FMMT558QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.15A SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음100,014
FMMT558TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음525,150
FMMT558TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,094
FMMT560QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음26,802
FMMT560TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음983,370
FMMT560TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음72,948
FMMT589TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음569,898
FMMT589TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,970
FMMT591AQTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음26,046
FMMT591ATA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음155,136
FMMT591ATC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음101,154
FMMT591QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음23,646
FMMT591TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음233,766
FMMT591TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,446
FMMT591-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNPPLASTIC-ENCAPSULATETRANSISTOR 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음7,776
FMMT593QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: -	재고 있음23,520
FMMT593TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,048
FMMT593TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음107,016
FMMT596TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음367,272
FMMT596TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,708
FMMT597TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 75MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음792,036
FMMT597TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 75MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,622
FMMT614QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,688

FMMT549ATC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,220

FMMT549TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음116,562

FMMT549TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 750mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,446

FMMT551TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음26,100

FMMT551TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,532

FMMT555TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음156,804

FMMT555TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 150V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 300mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,104

FMMT558QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.15A SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음100,014

FMMT558TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음525,150

FMMT558TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 0.15A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,094

FMMT560QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음26,802

FMMT560TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음983,370

FMMT560TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 500V 0.15A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 500V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음72,948

FMMT589TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음569,898

FMMT589TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,970

FMMT591AQTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음26,046

FMMT591ATA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음155,136

FMMT591ATC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음101,154

FMMT591QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음23,646

FMMT591TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음233,766

FMMT591TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,446

FMMT591-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNPPLASTIC-ENCAPSULATETRANSISTOR

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음7,776

FMMT593QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: -

재고 있음23,520

FMMT593TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,048

FMMT593TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음107,016

FMMT596TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음367,272

FMMT596TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 85 @ 250mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,708

FMMT597TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 75MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음792,036

FMMT597TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 20mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 75MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,622

FMMT614QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

SS MID-PERF TRANSISTOR SOT23 T&R

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,688

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