트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FMMT722TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음730,884
FMMT722TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,796
FMMT723QTA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP SOT23 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,318
FMMT723TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음731,694
FMMT723TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 200MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,660
FMMT734TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.05V @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,744
FMMT734TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.05V @ 5mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 200nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 140MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,418
FMMTA06TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음99,018
FMMTA06TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,250
FMMTA13TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,214
FMMTA13TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,248
FMMTA14TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음213,294
FMMTA14TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,348
FMMTA42TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음54,708
FMMTA42TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,366
FMMTA56TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,748
FMMTA56TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음6,858
FMMTA64TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,020
FMMTA64TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 125MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,010
FMMTA92TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,064
FMMTA92TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V 전력-최대: 330mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,364
FMMTL618TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 195MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,924
FMMTL618TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 195MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음2,646
FMMTL619TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,676
FMMTL619TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 180MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음5,868
FMMTL717TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 205MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음22,926
FMMTL717TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 205MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음4,356
FMMTL718TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 265MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음7,128
FMMTL718TC Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: 265MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,744
FMMTL720TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 40V 1A SOT23-3 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V 전력-최대: 500mW 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음8,874

FMMT722TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음730,884

FMMT722TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 70V 1.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 260mV @ 200mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,796

FMMT723QTA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP SOT23

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,318

FMMT723TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음731,694

FMMT723TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 150mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 10V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 200MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,660

FMMT734TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.05V @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,744

FMMT734TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 0.8A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.05V @ 5mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 200nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 140MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,418

FMMTA06TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음99,018

FMMTA06TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,250

FMMTA13TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,214

FMMTA13TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,248

FMMTA14TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음213,294

FMMTA14TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 0.3A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,348

FMMTA42TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음54,708

FMMTA42TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,366

FMMTA56TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,748

FMMTA56TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 1V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음6,858

FMMTA64TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,020

FMMTA64TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 125MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,010

FMMTA92TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,064

FMMTA92TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 300V 0.2A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 250nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
전력-최대: 330mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,364

FMMTL618TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 195MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,924

FMMTL618TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 195MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음2,646

FMMTL619TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,676

FMMTL619TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 330mV @ 125mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 180MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음5,868

FMMTL717TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 205MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음22,926

FMMTL717TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 12V 1.25A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.25A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 12V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 290mV @ 50mA, 1.25A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 205MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음4,356

FMMTL718TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 265MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음7,128

FMMTL718TC

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: 265MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,744

FMMTL720TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 40V 1A SOT23-3

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 5V
전력-최대: 500mW
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음8,874

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